UMA4NTR Альтернативные части: RN2711(TE85L,F) ,UMA9NTR

UMA4NTRROHM Semiconductor

  • UMA4NTRROHM Semiconductor
  • RN2711(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and Storage
  • UMA9NTRROHM Semiconductor

В наличии: 2810

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    5.500000 ₽

    5.49 ₽

  • 10

    5.188681 ₽

    51.92 ₽

  • 100

    4.894986 ₽

    489.56 ₽

  • 500

    4.617912 ₽

    2,308.93 ₽

  • 1000

    4.356511 ₽

    4,356.46 ₽

Цена за единицу: 5.500000 ₽

Итоговая цена: 5.49 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5
Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT PNP 2-in-1 Ic -100mA -50V VCEO
TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5
Срок поставки от производителя
7 Weeks
12 Weeks
13 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
SOT-353
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Количество контактов
5
-
5
Диэлектрический пробой напряжение
50V
50V
50V
Количество элементов
2
2
2
Минимальная частота работы в герцах
100
120
30
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2012
2014
2005
Код JESD-609
e2
-
e2
Безоловая кодировка
yes
-
yes
Состояние изделия
Active
Discontinued
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
5
-
5
Код ECCN
EAR99
-
EAR99
Конечная обработка контакта
Tin/Copper (Sn/Cu)
-
Tin/Copper (Sn/Cu)
Максимальная рабочая температура
150°C
-
150°C
Минимальная температура работы
-55°C
-
-55°C
Дополнительная Характеристика
DIGITAL
-
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
Ток постоянного напряжения - номинальный
-50V
-
-50V
Максимальная потеря мощности
150mW
200mW
150mW
Форма вывода
GULL WING
-
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
-
260
Моментальный ток
-100mA
-
-50mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
10
-
10
Число контактов
5
-
5
Направленность
PNP
PNP
PNP
Конфигурация элемента
Dual
Dual
-
Распад мощности
150mW
-
150mW
Применение транзистора
SWITCHING
-
SWITCHING
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
50V
300mV
300mV
Максимальный ток сбора
100mA
100mA
100mA
Частота перехода
250MHz
-
250MHz
Максимальное напряжение разрушения
50V
50V
50V
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)
100
-
-
Максимальное напряжение на выходе
0.3 V
-
0.3 V
REACH SVHC
No SVHC
-
No SVHC
Корпусировка на излучение
No
-
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
RoHS Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
-
Lead Free
Вид крепления
-
Surface Mount
Surface Mount
Материал элемента транзистора
-
SILICON
-
Код соответствия REACH
-
unknown
-
Мощность - Макс
-
200mW
-
Тип транзистора
-
2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
-
400 @ 1mA 5V
20 @ 5mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)
-
100nA ICBO
500nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
-
300mV @ 250μA, 5mA
300mV @ 500μA, 10mA
Частота - Переход
-
200MHz
250MHz
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
-
-5V
-
База (R1)
-
10k Ω
10k Ω
Прямоходящий ток коллектора
-
-100mA
-
Основной номер части
-
-
MA9
Конфигурация
-
-
COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
Резистор - Эмиттер-База (R2)
-
-
10k Ω