Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
UMA4NTR Альтернативные части: UMA5NTR
UMA4NTRROHM Semiconductor
В наличии: 2810
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
5.500000 ₽
5.49 ₽
10
5.188681 ₽
51.92 ₽
100
4.894986 ₽
489.56 ₽
500
4.617912 ₽
2,308.93 ₽
1000
4.356511 ₽
4,356.46 ₽
Цена за единицу: 5.500000 ₽
Итоговая цена: 5.49 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5 | TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5 |
Срок поставки от производителя | 7 Weeks | 13 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | SOT-353 | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 |
Количество контактов | 5 | 5 |
Диэлектрический пробой напряжение | 50V | 50V |
Количество элементов | 2 | 2 |
Минимальная частота работы в герцах | 100 | 80 |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2012 | 2004 |
Код JESD-609 | e2 | e2 |
Безоловая кодировка | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 5 | 5 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Tin/Copper (Sn/Cu) | Tin/Copper (Sn/Cu) |
Максимальная рабочая температура | 150°C | 150°C |
Минимальная температура работы | -55°C | -55°C |
Дополнительная Характеристика | DIGITAL | BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 21 |
Ток постоянного напряжения - номинальный | -50V | -50V |
Максимальная потеря мощности | 150mW | 150mW |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 |
Моментальный ток | -100mA | -100mA |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 10 | 10 |
Число контактов | 5 | 5 |
Направленность | PNP | PNP |
Конфигурация элемента | Dual | Dual |
Распад мощности | 150mW | 150mW |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 50V | -50V |
Максимальный ток сбора | 100mA | 100mA |
Частота перехода | 250MHz | 250MHz |
Максимальное напряжение разрушения | 50V | 50V |
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE) | 100 | - |
Максимальное напряжение на выходе | 0.3 V | 0.3 V |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Вид крепления | - | Surface Mount |
Основной номер части | - | MA5 |
Тип транзистора | - | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | - | 80 @ 10mA 5V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | - | 500nA |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | - | 300mV @ 250μA, 5mA |
Частота - Переход | - | 250MHz |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | - | -5V |
База (R1) | - | 2.2k Ω |
Прямоходящий ток коллектора | - | -100mA |
Резистор - Эмиттер-База (R2) | - | 47k Ω |
Высота | - | 900μm |
Длина | - | 2.1mm |
Ширина | - | 1.35mm |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | UMY1NTR | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 5UMT | Для сравнения |
| UMA5NTR | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5 | Для сравнения |
 | RN2711(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT PNP 2-in-1 Ic -100mA -50V VCEO | Для сравнения |
| UMA9NTR | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5 | Для сравнения |