Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
STS6NF20V Альтернативные части: SI4511DY-T1-GE3 ,IRF7311TRPBF
STS6NF20VSTMicroelectronics
В наличии: 6732
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
27.258242 ₽
27.20 ₽
10
25.715316 ₽
257.14 ₽
100
24.259739 ₽
2,425.96 ₽
500
22.886552 ₽
11,443.27 ₽
1000
21.591085 ₽
21,591.07 ₽
Цена за единицу: 27.258242 ₽
Итоговая цена: 27.20 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | MOSFET N-Ch 20 Volt 6 Amp | MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOIC | MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8-SOIC |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 7 months ago) | - | - |
Срок поставки от производителя | 12 Weeks | - | 12 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 | 8 |
Материал элемента транзистора | SILICON | - | SILICON |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 6A Tc | 7.2A 4.6A | - |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 1.95V 4.5V | - | - |
Количество элементов | 1 | 2 | 2 |
Максимальная мощность рассеяния | 2.5W Tc | - | - |
Время отключения | 27 ns | - | 38 ns |
Рабочая температура | 150°C TJ | - | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) |
Серия | STripFET™ II | TrenchFET® | HEXFET® |
Код JESD-609 | e4 | e3 | e3 |
Состояние изделия | Active | Obsolete | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 8 | 8 | 8 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | PURE MATTE TIN | Matte Tin (Sn) |
Положение терминала | DUAL | DUAL | - |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 30 | 30 | - |
Основной номер части | STS6N | SI4511 | IRF7311PBF |
Число контактов | 8 | 8 | - |
Конфигурация элемента | Single | - | Dual |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | 2.5W | 2W | 2W |
Время задержки включения | 7 ns | - | 8.1 ns |
Тип ТРВ | N-Channel | N and P-Channel | 2 N-Channel (Dual) |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 40m Ω @ 3A, 4.5V | 14.5m Ω @ 9.6A, 10V | 29m Ω @ 6A, 4.5V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 600mV @ 250μA | 1.8V @ 250μA | 700mV @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 460pF @ 15V | - | 900pF @ 15V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 11.5nC @ 4.5V | 18nC @ 4.5V | 27nC @ 4.5V |
Время подъема | 33ns | - | 17ns |
Угол настройки (макс.) | ±12V | - | - |
Время падения (тип) | 10 ns | - | 31 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 6A | 9.6A | 6.6A |
Пороговое напряжение | 600mV | 600mV | 700mV |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 12V | 12V | 12V |
Максимальный сливовой ток (ID) | 6A | - | - |
Сопротивление открытого канала-макс | 0.045Ohm | 0.0145Ohm | - |
Напряжение пробоя стока к истоку | 20V | - | 20V |
Максимальный импульсный ток вывода | 24A | - | - |
Высота | 1.25mm | - | 1.4986mm |
Длина | 5mm | - | 4.9784mm |
Ширина | 4mm | - | 3.9878mm |
REACH SVHC | No SVHC | Unknown | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | - | Lead Free |
Вес | - | 186.993455mg | - |
Опубликовано | - | 2014 | 2004 |
Безоловая кодировка | - | yes | - |
Максимальная рабочая температура | - | 150°C | - |
Минимальная температура работы | - | -55°C | - |
Максимальная потеря мощности | - | 1.1W | 2W |
Каналов количество | - | 2 | - |
Напряжение стока-исток (Vdss) | - | 20V | - |
Полярность/Тип канала | - | N-CHANNEL AND P-CHANNEL | - |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Характеристика ТРП | - | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
Сопротивление | - | - | 29mOhm |
Дополнительная Характеристика | - | - | AVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE |
Ток постоянного напряжения - номинальный | - | - | 20V |
Моментальный ток | - | - | 6.6A |
Рейтинг энергии лавины (Eas) | - | - | 100 mJ |
Время восстановления | - | - | 77 ns |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI4511DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOIC | Для сравнения |
 | IRF7311TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8-SOIC | Для сравнения |
| IRF7317TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC | Для сравнения |