STS6NF20V Альтернативные части: IRF7317TRPBF

STS6NF20VSTMicroelectronics

В наличии: 6732

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
27.258242 ₽
27.20 ₽
10
25.715316 ₽
257.14 ₽
100
24.259739 ₽
2,425.96 ₽
500
22.886552 ₽
11,443.27 ₽
1000
21.591085 ₽
21,591.07 ₽

Цена за единицу: 27.258242 ₽

Итоговая цена: 27.20 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иSTS6NF20V	иIRF7317TRPBF
Производитель:	STMicroelectronics	Infineon Technologies
Описание:	MOSFET N-Ch 20 Volt 6 Amp	MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC
Состояние жизненного цикла	ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)	-
Срок поставки от производителя	12 Weeks	12 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов	8	8
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	6A Tc	6.6A 5.3A
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	1.95V 4.5V	-
Количество элементов	1	2
Максимальная мощность рассеяния	2.5W Tc	-
Время отключения	27 ns	42 ns
Рабочая температура	150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Серия	STripFET™ II	HEXFET®
Код JESD-609	e4	e3
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	8	8
Код ECCN	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Matte Tin (Sn)
Положение терминала	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	30	-
Основной номер части	STS6N	IRF7317PBF
Число контактов	8	-
Конфигурация элемента	Single	-
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Распад мощности	2.5W	2W
Время задержки включения	7 ns	-
Тип ТРВ	N-Channel	N and P-Channel
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	40m Ω @ 3A, 4.5V	29m Ω @ 6A, 4.5V
Втс(th) (Макс) @ Id	600mV @ 250μA	700mV @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	460pF @ 15V	900pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	11.5nC @ 4.5V	27nC @ 4.5V
Время подъема	33ns	40ns
Угол настройки (макс.)	±12V	-
Время падения (тип)	10 ns	49 ns
Непрерывный ток стока (ID)	6A	6.6A
Пороговое напряжение	600mV	700mV
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	12V	12V
Максимальный сливовой ток (ID)	6A	-
Сопротивление открытого канала-макс	0.045Ohm	-
Напряжение пробоя стока к истоку	20V	20V
Максимальный импульсный ток вывода	24A	-
Высота	1.25mm	1.4986mm
Длина	5mm	4.9784mm
Ширина	4mm	3.9878mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free
Опубликовано	-	1997
Сопротивление	-	29mOhm
Дополнительная Характеристика	-	AVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE
Максимальная потеря мощности	-	2W
Моментальный ток	-	6.6A
Полярность/Тип канала	-	N-CHANNEL AND P-CHANNEL
Рейтинг энергии лавины (Eas)	-	100 mJ
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)	-	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП	-	Logic Level Gate
Номинальное Vgs	-	700 mV

Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
SI4511DY-T1-GE3	Vishay Siliconix	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOIC	Для сравнения
IRF7311TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8-SOIC	Для сравнения
IRF7317TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC	Для сравнения