Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
STS6NF20V Альтернативные части: IRF7317TRPBF ,SI4511DY-T1-GE3
STS6NF20VSTMicroelectronics
В наличии: 6732
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
27.258242 ₽
27.20 ₽
10
25.715316 ₽
257.14 ₽
100
24.259739 ₽
2,425.96 ₽
500
22.886552 ₽
11,443.27 ₽
1000
21.591085 ₽
21,591.07 ₽
Цена за единицу: 27.258242 ₽
Итоговая цена: 27.20 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | MOSFET N-Ch 20 Volt 6 Amp | MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC | MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOIC |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 7 months ago) | - | - |
Срок поставки от производителя | 12 Weeks | 12 Weeks | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 | 8 |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | - |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 6A Tc | 6.6A 5.3A | 7.2A 4.6A |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 1.95V 4.5V | - | - |
Количество элементов | 1 | 2 | 2 |
Максимальная мощность рассеяния | 2.5W Tc | - | - |
Время отключения | 27 ns | 42 ns | - |
Рабочая температура | 150°C TJ | -55°C~150°C TJ | - |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Cut Tape (CT) |
Серия | STripFET™ II | HEXFET® | TrenchFET® |
Код JESD-609 | e4 | e3 | e3 |
Состояние изделия | Active | Active | Obsolete |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 8 | 8 | 8 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | Matte Tin (Sn) | PURE MATTE TIN |
Положение терминала | DUAL | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | - | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 30 | - | 30 |
Основной номер части | STS6N | IRF7317PBF | SI4511 |
Число контактов | 8 | - | 8 |
Конфигурация элемента | Single | - | - |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | 2.5W | 2W | 2W |
Время задержки включения | 7 ns | - | - |
Тип ТРВ | N-Channel | N and P-Channel | N and P-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 40m Ω @ 3A, 4.5V | 29m Ω @ 6A, 4.5V | 14.5m Ω @ 9.6A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 600mV @ 250μA | 700mV @ 250μA | 1.8V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 460pF @ 15V | 900pF @ 15V | - |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 11.5nC @ 4.5V | 27nC @ 4.5V | 18nC @ 4.5V |
Время подъема | 33ns | 40ns | - |
Угол настройки (макс.) | ±12V | - | - |
Время падения (тип) | 10 ns | 49 ns | - |
Непрерывный ток стока (ID) | 6A | 6.6A | 9.6A |
Пороговое напряжение | 600mV | 700mV | 600mV |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 12V | 12V | 12V |
Максимальный сливовой ток (ID) | 6A | - | - |
Сопротивление открытого канала-макс | 0.045Ohm | - | 0.0145Ohm |
Напряжение пробоя стока к истоку | 20V | 20V | - |
Максимальный импульсный ток вывода | 24A | - | - |
Высота | 1.25mm | 1.4986mm | - |
Длина | 5mm | 4.9784mm | - |
Ширина | 4mm | 3.9878mm | - |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC | Unknown |
Корпусировка на излучение | No | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | - |
Опубликовано | - | 1997 | 2014 |
Сопротивление | - | 29mOhm | - |
Дополнительная Характеристика | - | AVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE | - |
Максимальная потеря мощности | - | 2W | 1.1W |
Моментальный ток | - | 6.6A | - |
Полярность/Тип канала | - | N-CHANNEL AND P-CHANNEL | N-CHANNEL AND P-CHANNEL |
Рейтинг энергии лавины (Eas) | - | 100 mJ | - |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Характеристика ТРП | - | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
Номинальное Vgs | - | 700 mV | - |
Вес | - | - | 186.993455mg |
Безоловая кодировка | - | - | yes |
Максимальная рабочая температура | - | - | 150°C |
Минимальная температура работы | - | - | -55°C |
Каналов количество | - | - | 2 |
Напряжение стока-исток (Vdss) | - | - | 20V |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI4511DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOIC | Для сравнения |
 | IRF7311TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8-SOIC | Для сравнения |
| IRF7317TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC | Для сравнения |