Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
STR2P3LLH6 Альтернативные части: FDN358P ,FDN357N
STR2P3LLH6STMicroelectronics
В наличии: 16451
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
18.282967 ₽
18.27 ₽
10
17.248077 ₽
172.53 ₽
100
16.271772 ₽
1,627.20 ₽
500
15.350728 ₽
7,675.41 ₽
1000
14.481827 ₽
14,481.87 ₽
Цена за единицу: 18.282967 ₽
Итоговая цена: 18.27 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | MOSFET P-CH 30V 2A SOT-23 | 30V P-CH. FET, 125 MO, SSOT3 | MOSFET N-CH 30V 1.9A SSOT3 |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 8 months ago) | ACTIVE (Last Updated: 6 days ago) | ACTIVE (Last Updated: 6 days ago) |
Срок поставки от производителя | 20 Weeks | 10 Weeks | 10 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Количество контактов | 3 | 3 | 3 |
Производитель идентификатор упаковки | SOT-23-8162275_998G | - | - |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 2A Ta | 1.5A Ta | 1.9A Ta |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 4.5V 10V | 4.5V 10V | 4.5V 10V |
Максимальная мощность рассеяния | 350mW Tc | 500mW Ta | 500mW Ta |
Время отключения | 19.2 ns | 12 ns | 12 ns |
Рабочая температура | 150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Серия | STripFET™ H6 | PowerTrench® | - |
Состояние изделия | Active | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Основной номер части | STR2 | - | - |
Каналов количество | 1 | 1 | - |
Конфигурация элемента | Single | Single | Single |
Распад мощности | 350mW | 500mW | 500mW |
Время задержки включения | 5.4 ns | 5 ns | 5 ns |
Тип ТРВ | P-Channel | P-Channel | N-Channel |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 56m Ω @ 1A, 10V | 125m Ω @ 1.5A, 10V | 60m Ω @ 2.2A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 2.5V @ 250μA | 3V @ 250μA | 2V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 639pF @ 25V | 182pF @ 15V | 235pF @ 10V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 6nC @ 4.5V | 5.6nC @ 10V | 5.9nC @ 5V |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 30V | 30V | - |
Угол настройки (макс.) | ±20V | ±20V | ±20V |
Непрерывный ток стока (ID) | -2A | 1.5A | 1.9A |
Пороговое напряжение | -1V | -1.9V | 1.6V |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V | 20V |
Напряжение пробоя стока к истоку | -30V | -30V | 30V |
Максимальная температура перехода (Тj) | 150°C | 150°C | - |
Высота | 1.25mm | 1.22mm | 940μm |
Длина | 3.04mm | 2.92mm | 2.92mm |
Ширина | 1.75mm | 3.05mm | 3.05mm |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Вес | - | 30mg | 30mg |
Материал элемента транзистора | - | SILICON | SILICON |
Количество элементов | - | 1 | 1 |
Опубликовано | - | 2003 | 1998 |
Код JESD-609 | - | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | - | yes | yes |
Количество выводов | - | 3 | 3 |
Сопротивление | - | 125MOhm | 60MOhm |
Конечная обработка контакта | - | Tin (Sn) | Tin (Sn) |
Ток постоянного напряжения - номинальный | - | -30V | 30V |
Положение терминала | - | DUAL | DUAL |
Форма вывода | - | GULL WING | GULL WING |
Моментальный ток | - | -1.5A | 1.9A |
Режим работы | - | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Применение транзистора | - | SWITCHING | SWITCHING |
Время подъема | - | 13ns | 12ns |
Время падения (тип) | - | 13 ns | 12 ns |
Двухпитание напряжения | - | -30V | 30V |
Номинальное Vgs | - | -1.9 V | 1.6 V |
REACH SVHC | - | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | - | No | No |
Без свинца | - | Lead Free | Lead Free |
Завершение | - | - | SMD/SMT |
Дополнительная Характеристика | - | - | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
Минимальная разрушающая напряжение | - | - | 30V |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | BSS306NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R | Для сравнения |
| FDN358P | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 30V P-CH. FET, 125 MO, SSOT3 | Для сравнения |
| FDN357N | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 30V 1.9A SSOT3 | Для сравнения |
| BSS316NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Single N-Channel 30 V 160 mOhm 0.6 nC OptiMOS? Small Signal Mosfet - SOT-23 | Для сравнения |