STR2P3LLH6 Альтернативные части: FDN357N

STR2P3LLH6STMicroelectronics

  • STR2P3LLH6STMicroelectronics
  • FDN357NON Semiconductor

В наличии: 16451

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    18.282967 ₽

    18.27 ₽

  • 10

    17.248077 ₽

    172.53 ₽

  • 100

    16.271772 ₽

    1,627.20 ₽

  • 500

    15.350728 ₽

    7,675.41 ₽

  • 1000

    14.481827 ₽

    14,481.87 ₽

Цена за единицу: 18.282967 ₽

Итоговая цена: 18.27 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
MOSFET P-CH 30V 2A SOT-23
MOSFET N-CH 30V 1.9A SSOT3
Состояние жизненного цикла
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
Срок поставки от производителя
20 Weeks
10 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов
3
3
Производитель идентификатор упаковки
SOT-23-8162275_998G
-
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C
2A Ta
1.9A Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)
4.5V 10V
4.5V 10V
Максимальная мощность рассеяния
350mW Tc
500mW Ta
Время отключения
19.2 ns
12 ns
Рабочая температура
150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Cut Tape (CT)
Tape & Reel (TR)
Серия
STripFET™ H6
-
Состояние изделия
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Код ECCN
EAR99
EAR99
Основной номер части
STR2
-
Каналов количество
1
-
Конфигурация элемента
Single
Single
Распад мощности
350mW
500mW
Время задержки включения
5.4 ns
5 ns
Тип ТРВ
P-Channel
N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs
56m Ω @ 1A, 10V
60m Ω @ 2.2A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250μA
2V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds
639pF @ 25V
235pF @ 10V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs
6nC @ 4.5V
5.9nC @ 5V
Напряжение стока-исток (Vdss)
30V
-
Угол настройки (макс.)
±20V
±20V
Непрерывный ток стока (ID)
-2A
1.9A
Пороговое напряжение
-1V
1.6V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)
20V
20V
Напряжение пробоя стока к истоку
-30V
30V
Максимальная температура перехода (Тj)
150°C
-
Высота
1.25mm
940μm
Длина
3.04mm
2.92mm
Ширина
1.75mm
3.05mm
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Вес
-
30mg
Материал элемента транзистора
-
SILICON
Количество элементов
-
1
Опубликовано
-
1998
Код JESD-609
-
e3
Безоловая кодировка
-
yes
Количество выводов
-
3
Завершение
-
SMD/SMT
Сопротивление
-
60MOhm
Конечная обработка контакта
-
Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика
-
LOGIC LEVEL COMPATIBLE
Ток постоянного напряжения - номинальный
-
30V
Положение терминала
-
DUAL
Форма вывода
-
GULL WING
Моментальный ток
-
1.9A
Режим работы
-
ENHANCEMENT MODE
Применение транзистора
-
SWITCHING
Время подъема
-
12ns
Время падения (тип)
-
12 ns
Двухпитание напряжения
-
30V
Номинальное Vgs
-
1.6 V
Минимальная разрушающая напряжение
-
30V
REACH SVHC
-
No SVHC
Корпусировка на излучение
-
No
Без свинца
-
Lead Free