Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
STR2P3LLH6 Альтернативные части: BSS316NH6327XTSA1 ,BSS306NH6327XTSA1
STR2P3LLH6STMicroelectronics
В наличии: 16451
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
18.282967 ₽
18.27 ₽
10
17.248077 ₽
172.53 ₽
100
16.271772 ₽
1,627.20 ₽
500
15.350728 ₽
7,675.41 ₽
1000
14.481827 ₽
14,481.87 ₽
Цена за единицу: 18.282967 ₽
Итоговая цена: 18.27 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | MOSFET P-CH 30V 2A SOT-23 | Single N-Channel 30 V 160 mOhm 0.6 nC OptiMOS? Small Signal Mosfet - SOT-23 | Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 8 months ago) | - | - |
Срок поставки от производителя | 20 Weeks | 10 Weeks | 10 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Количество контактов | 3 | 3 | 3 |
Производитель идентификатор упаковки | SOT-23-8162275_998G | - | PG-SOT23 |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 2A Ta | 1.4A Ta | 2.3A Ta |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 4.5V 10V | 4.5V 10V | 4.5V 10V |
Максимальная мощность рассеяния | 350mW Tc | 500mW Ta | 500mW Ta |
Время отключения | 19.2 ns | 5.8 ns | 8.3 ns |
Рабочая температура | 150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Серия | STripFET™ H6 | OptiMOS™ | OptiMOS™ |
Состояние изделия | Active | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Основной номер части | STR2 | - | - |
Каналов количество | 1 | 1 | 1 |
Конфигурация элемента | Single | Single | - |
Распад мощности | 350mW | 500mW | 500mW |
Время задержки включения | 5.4 ns | 3.4 ns | 4.4 ns |
Тип ТРВ | P-Channel | N-Channel | N-Channel |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 56m Ω @ 1A, 10V | 160m Ω @ 1.4A, 10V | 57m Ω @ 2.3A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 2.5V @ 250μA | 2V @ 3.7μA | 2V @ 11μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 639pF @ 25V | 94pF @ 15V | 275pF @ 15V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 6nC @ 4.5V | 0.6nC @ 5V | 1.5nC @ 5V |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 30V | - | - |
Угол настройки (макс.) | ±20V | ±20V | ±20V |
Непрерывный ток стока (ID) | -2A | 1.4A | 2.3A |
Пороговое напряжение | -1V | 1.6V | 1.2V |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V | 20V |
Напряжение пробоя стока к истоку | -30V | 30V | 30V |
Максимальная температура перехода (Тj) | 150°C | - | 150°C |
Высота | 1.25mm | 1.1mm | 1.1mm |
Длина | 3.04mm | 2.9mm | - |
Ширина | 1.75mm | 1.3mm | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Материал элемента транзистора | - | SILICON | SILICON |
Количество элементов | - | 1 | 1 |
Опубликовано | - | 2011 | 2011 |
Код JESD-609 | - | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | - | yes | yes |
Количество выводов | - | 3 | 3 |
Конечная обработка контакта | - | Matte Tin (Sn) | - |
Дополнительная Характеристика | - | AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE | AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
Положение терминала | - | DUAL | DUAL |
Форма вывода | - | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | NOT SPECIFIED | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | NOT SPECIFIED | - |
Число контактов | - | 3 | 3 |
Квалификационный Статус | - | Not Qualified | - |
Режим работы | - | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Без галогенов | - | Halogen Free | Halogen Free |
Время подъема | - | 2.3ns | 2.3ns |
Время падения (тип) | - | 1 ns | - |
Максимальное напряжение питания с двумя источниками | - | 30V | 30V |
Обратная ёмкость-Макс (Crss) | - | 7 pF | - |
REACH SVHC | - | No SVHC | No SVHC |
Без свинца | - | Lead Free | Lead Free |
Покрытие контактов | - | - | Tin |
Конфигурация | - | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Сопротивление открытого канала-макс | - | - | 0.057Ohm |
Корпусировка на излучение | - | - | No |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | BSS306NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R | Для сравнения |
| FDN358P | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 30V P-CH. FET, 125 MO, SSOT3 | Для сравнения |
| FDN357N | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 30V 1.9A SSOT3 | Для сравнения |
| BSS316NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Single N-Channel 30 V 160 mOhm 0.6 nC OptiMOS? Small Signal Mosfet - SOT-23 | Для сравнения |