STGW40NC60W Альтернативные части: IRG4PC50FPBF ,STGW30NC60VD

STGW40NC60WSTMicroelectronics

В наличии: 479

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
592.940440 ₽
592.99 ₽
10
559.377802 ₽
5,593.82 ₽
100
527.714876 ₽
52,771.43 ₽
500
497.844217 ₽
248,922.12 ₽
1000
469.664382 ₽
469,664.42 ₽

Цена за единицу: 592.940440 ₽

Итоговая цена: 592.99 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иSTGW40NC60W	иIRG4PC50FPBF	иSTGW30NC60VD
Производитель:	STMicroelectronics	Infineon Technologies	STMicroelectronics
Описание:	Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube	IGBT 600V 70A 200W TO247AC	Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Монтаж	Through Hole	Through Hole	Through Hole
Вид крепления	Through Hole	Through Hole	Through Hole
Корпус / Кейс	TO-247-3	TO-247-3	TO-247-3
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	600V	600V	600V
Количество элементов	1	1	1
Условия испытания	390V, 30A, 10 Ω, 15V	480V, 39A, 5 Ω, 15V	390V, 20A, 3.3 Ω, 15V
Время отключения	213 ns	240 ns	-
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tube	Bulk	Tube
Серия	PowerMESH™	-	PowerMESH™
Состояние изделия	Obsolete	Last Time Buy	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3	3
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Максимальная потеря мощности	250W	200W	250W
Температура пайки (пиковая) (°C)	NOT SPECIFIED	-	-
Код соответствия REACH	unknown	-	-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	NOT SPECIFIED	-	-
Основной номер части	STGW40	-	STGW30
Число контактов	3	-	3
Код JESD-30	R-PSFM-T3	-	-
Квалификационный Статус	Not Qualified	-	-
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Распад мощности	205W	200W	250W
Входной тип	Standard	Standard	Standard
Время задержки включения	33 ns	31 ns	-
Мощность - Макс	250W	-	-
Применение транзистора	POWER CONTROL	-	POWER CONTROL
Полярность/Тип канала	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	600V	1.6V	600V
Максимальный ток сбора	70A	70A	80A
Код JEDEC-95	TO-247AC	TO-247AC	-
Время включения	46 ns	52 ns	42.5 ns
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	2.5V @ 15V, 30A	1.6V @ 15V, 39A	2.5V @ 15V, 20A
Время выключения (toff)	280 ns	620 ns	280 ns
Зарядная мощность	126nC	190nC	100nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)	230A	280A	150A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C	33ns/168ns	31ns/240ns	31ns/100ns
Переключаемый энергопотребление	302μJ (on), 349μJ (off)	370μJ (on), 2.1mJ (off)	220μJ (on), 330μJ (off)
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)	20V	20V	20V
Максимальное напряжение на переходе ГЭ	5.75V	6V	5.75V
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	-
Срок поставки от производителя	-	14 Weeks	8 Weeks
Количество контактов	-	3	3
Опубликовано	-	2000	-
Завершение	-	Through Hole	-
Ток постоянного напряжения - номинальный	-	600V	-
Моментальный ток	-	70A	-
Сокетная связка	-	COLLECTOR	-
Время подъема	-	25ns	11ns
Время падения максимальное (tf)	-	190ns	-
Высота	-	20.7mm	21.07mm
Длина	-	15.87mm	16.02mm
Ширина	-	5.3086mm	5.15mm
REACH SVHC	-	No SVHC	-
Корпусировка на излучение	-	No	No
Состояние жизненного цикла	-	-	ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
Время обратной рекомпенсации	-	-	44ns

Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
IRG4PC50FDPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-247-3	IGBT 600V 70A 200W TO247AC	Для сравнения
IRG4PC50FPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-247-3	IGBT 600V 70A 200W TO247AC	Для сравнения
STGW30NC60VD	STMicroelectronics	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-247-3	Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube	Для сравнения
IRG4PC50FD-EPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-247-3	IGBT 600V 70A 200W TO247AD	Для сравнения