Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
STGW40NC60W Альтернативные части: IRG4PC50FPBF
STGW40NC60WSTMicroelectronics
В наличии: 479
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
592.940440 ₽
592.99 ₽
10
559.377802 ₽
5,593.82 ₽
100
527.714876 ₽
52,771.43 ₽
500
497.844217 ₽
248,922.12 ₽
1000
469.664382 ₽
469,664.42 ₽
Цена за единицу: 592.940440 ₽
Итоговая цена: 592.99 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | IGBT 600V 70A 200W TO247AC |
Монтаж | Through Hole | Through Hole |
Вид крепления | Through Hole | Through Hole |
Корпус / Кейс | TO-247-3 | TO-247-3 |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON |
Диэлектрический пробой напряжение | 600V | 600V |
Количество элементов | 1 | 1 |
Условия испытания | 390V, 30A, 10 Ω, 15V | 480V, 39A, 5 Ω, 15V |
Время отключения | 213 ns | 240 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tube | Bulk |
Серия | PowerMESH™ | - |
Состояние изделия | Obsolete | Last Time Buy |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Максимальная потеря мощности | 250W | 200W |
Температура пайки (пиковая) (°C) | NOT SPECIFIED | - |
Код соответствия REACH | unknown | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | NOT SPECIFIED | - |
Основной номер части | STGW40 | - |
Число контактов | 3 | - |
Код JESD-30 | R-PSFM-T3 | - |
Квалификационный Статус | Not Qualified | - |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Распад мощности | 205W | 200W |
Входной тип | Standard | Standard |
Время задержки включения | 33 ns | 31 ns |
Мощность - Макс | 250W | - |
Применение транзистора | POWER CONTROL | - |
Полярность/Тип канала | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 600V | 1.6V |
Максимальный ток сбора | 70A | 70A |
Код JEDEC-95 | TO-247AC | TO-247AC |
Время включения | 46 ns | 52 ns |
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 30A | 1.6V @ 15V, 39A |
Время выключения (toff) | 280 ns | 620 ns |
Зарядная мощность | 126nC | 190nC |
Ток-эmitter импульсированный (Icm) | 230A | 280A |
Тд (вкл/выкл) @ 25°C | 33ns/168ns | 31ns/240ns |
Переключаемый энергопотребление | 302μJ (on), 349μJ (off) | 370μJ (on), 2.1mJ (off) |
Напряжение затвор-эмиттер (макс.) | 20V | 20V |
Максимальное напряжение на переходе ГЭ | 5.75V | 6V |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Срок поставки от производителя | - | 14 Weeks |
Количество контактов | - | 3 |
Опубликовано | - | 2000 |
Завершение | - | Through Hole |
Ток постоянного напряжения - номинальный | - | 600V |
Моментальный ток | - | 70A |
Сокетная связка | - | COLLECTOR |
Время подъема | - | 25ns |
Время падения максимальное (tf) | - | 190ns |
Высота | - | 20.7mm |
Длина | - | 15.87mm |
Ширина | - | 5.3086mm |
REACH SVHC | - | No SVHC |
Корпусировка на излучение | - | No |
Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRG4PC50FDPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-247-3 | IGBT 600V 70A 200W TO247AC | Для сравнения |
| IRG4PC50FPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-247-3 | IGBT 600V 70A 200W TO247AC | Для сравнения |
 | STGW30NC60VD | STMicroelectronics | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-247-3 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Для сравнения |
| IRG4PC50FD-EPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-247-3 | IGBT 600V 70A 200W TO247AD | Для сравнения |