STGW40NC60W Альтернативные части: IRG4PC50FD-EPBF ,IRG4PC50FDPBF

STGW40NC60WSTMicroelectronics

В наличии: 479

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
592.940440 ₽
592.99 ₽
10
559.377802 ₽
5,593.82 ₽
100
527.714876 ₽
52,771.43 ₽
500
497.844217 ₽
248,922.12 ₽
1000
469.664382 ₽
469,664.42 ₽

Цена за единицу: 592.940440 ₽

Итоговая цена: 592.99 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иSTGW40NC60W	иIRG4PC50FD-EPBF	иIRG4PC50FDPBF
Производитель:	STMicroelectronics	Infineon Technologies	Infineon Technologies
Описание:	Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube	IGBT 600V 70A 200W TO247AD	IGBT 600V 70A 200W TO247AC
Монтаж	Through Hole	Through Hole	Through Hole
Вид крепления	Through Hole	Through Hole	Through Hole
Корпус / Кейс	TO-247-3	TO-247-3	TO-247-3
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	600V	600V	600V
Количество элементов	1	1	1
Условия испытания	390V, 30A, 10 Ω, 15V	480V, 39A, 5 Ω, 15V	480V, 39A, 5 Ω, 15V
Время отключения	213 ns	-	240 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tube	Tube	Tray
Серия	PowerMESH™	-	-
Состояние изделия	Obsolete	Obsolete	Last Time Buy
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3	3
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Максимальная потеря мощности	250W	200W	200W
Температура пайки (пиковая) (°C)	NOT SPECIFIED	-	-
Код соответствия REACH	unknown	-	-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	NOT SPECIFIED	-	-
Основной номер части	STGW40	-	-
Число контактов	3	-	-
Код JESD-30	R-PSFM-T3	-	-
Квалификационный Статус	Not Qualified	-	-
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Распад мощности	205W	200W	200W
Входной тип	Standard	Standard	Standard
Время задержки включения	33 ns	-	55 ns
Мощность - Макс	250W	-	-
Применение транзистора	POWER CONTROL	POWER CONTROL	POWER CONTROL
Полярность/Тип канала	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	600V	1.6V	1.6V
Максимальный ток сбора	70A	70A	70A
Код JEDEC-95	TO-247AC	TO-247AD	TO-247AC
Время включения	46 ns	86 ns	86 ns
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	2.5V @ 15V, 30A	1.6V @ 15V, 39A	1.6V @ 15V, 39A
Время выключения (toff)	280 ns	660 ns	660 ns
Зарядная мощность	126nC	190nC	190nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)	230A	280A	280A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C	33ns/168ns	55ns/240ns	55ns/240ns
Переключаемый энергопотребление	302μJ (on), 349μJ (off)	1.5mJ (on), 2.4mJ (off)	1.5mJ (on), 2.4mJ (off)
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)	20V	-	-
Максимальное напряжение на переходе ГЭ	5.75V	-	-
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	RoHS Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	-	Lead Free
Срок поставки от производителя	-	22 Weeks	14 Weeks
Количество контактов	-	3	3
Опубликовано	-	2004	2001
Безоловая кодировка	-	yes	-
Дополнительная Характеристика	-	ULTRA FAST SOFT RECOVERY	ULTRA FAST SOFT RECOVERY
Сокетная связка	-	COLLECTOR	COLLECTOR
Время обратной рекомпенсации	-	50 ns	50 ns
Высота	-	20.701mm	20.7mm
Длина	-	15.875mm	15.87mm
Ширина	-	5.3086mm	5.3086mm
Корпусировка на излучение	-	No	No
Завершение	-	-	Through Hole
Ток постоянного напряжения - номинальный	-	-	600V
Моментальный ток	-	-	70A
Время подъема	-	-	25ns
Время падения максимальное (tf)	-	-	210ns
REACH SVHC	-	-	No SVHC

Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
IRG4PC50FDPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-247-3	IGBT 600V 70A 200W TO247AC	Для сравнения
IRG4PC50FPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-247-3	IGBT 600V 70A 200W TO247AC	Для сравнения
STGW30NC60VD	STMicroelectronics	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-247-3	Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube	Для сравнения
IRG4PC50FD-EPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-247-3	IGBT 600V 70A 200W TO247AD	Для сравнения