STGW40NC60KD Альтернативные части: IRGP35B60PDPBF ,IRG4PC50FPBF

STGW40NC60KDSTMicroelectronics

В наличии: 10

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
248.621154 ₽
248.63 ₽
10
234.548255 ₽
2,345.47 ₽
100
221.271937 ₽
22,127.20 ₽
500
208.747115 ₽
104,373.63 ₽
1000
196.931236 ₽
196,931.18 ₽

Цена за единицу: 248.621154 ₽

Итоговая цена: 248.63 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иSTGW40NC60KD	иIRGP35B60PDPBF	иIRG4PC50FPBF
Производитель:	STMicroelectronics	Infineon Technologies	Infineon Technologies
Описание:	Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube	IGBT 600V 60A 308W TO247AC	IGBT 600V 70A 200W TO247AC
Состояние жизненного цикла	ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)	-	-
Срок поставки от производителя	8 Weeks	14 Weeks	14 Weeks
Монтаж	Through Hole	Through Hole	Through Hole
Вид крепления	Through Hole	Through Hole	Through Hole
Корпус / Кейс	TO-247-3	TO-247-3	TO-247-3
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	600V	600V	600V
Количество элементов	1	1	1
Условия испытания	480V, 30A, 10 Ω, 15V	390V, 22A, 3.3 Ω, 15V	480V, 39A, 5 Ω, 15V
Время отключения	164 ns	110 ns	240 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tube	Bulk	Bulk
Серия	PowerMESH™	-	-
Код JESD-609	e3	-	-
Состояние изделия	Active	Last Time Buy	Last Time Buy
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3	3
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Tin (Sn)	-	-
Максимальная потеря мощности	250W	308W	200W
Основной номер части	STGW40	-	-
Число контактов	3	-	-
Код JESD-30	R-PSFM-T3	-	-
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Распад мощности	250W	308W	200W
Входной тип	Standard	Standard	Standard
Время задержки включения	46 ns	26 ns	31 ns
Применение транзистора	POWER CONTROL	POWER CONTROL	-
Полярность/Тип канала	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	600V	2.55V	1.6V
Максимальный ток сбора	70A	60A	70A
Время обратной рекомпенсации	45 ns	42 ns	-
Время включения	64 ns	34 ns	52 ns
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	2.7V @ 15V, 30A	2.55V @ 15V, 35A	1.6V @ 15V, 39A
Время выключения (toff)	338 ns	142 ns	620 ns
Зарядная мощность	135nC	160nC	190nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)	220A	120A	280A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C	46ns/164ns	26ns/110ns	31ns/240ns
Переключаемый энергопотребление	595μJ (on), 716μJ (off)	220μJ (on), 215μJ (off)	370μJ (on), 2.1mJ (off)
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)	20V	20V	20V
Максимальное напряжение на переходе ГЭ	6.5V	5V	6V
Корпусировка на излучение	No	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	Lead Free
Количество контактов	-	3	3
Опубликовано	-	2000	2000
Завершение	-	Through Hole	Through Hole
Дополнительная Характеристика	-	HIGH RELIABILITY, LOW CONDUCTION LOSS	-
Ток постоянного напряжения - номинальный	-	600V	600V
Моментальный ток	-	60A	70A
Сокетная связка	-	COLLECTOR	COLLECTOR
Время подъема	-	6ns	25ns
Код JEDEC-95	-	TO-247AC	TO-247AC
Тип ИGBT	-	NPT	-
Высота	-	20.7mm	20.7mm
Длина	-	15.87mm	15.87mm
Ширина	-	5.3086mm	5.3086mm
REACH SVHC	-	No SVHC	No SVHC
Время падения максимальное (tf)	-	-	190ns

Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
IRGP35B60PDPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-247-3	IGBT 600V 60A 308W TO247AC	Для сравнения
IRG4PC50FPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-247-3	IGBT 600V 70A 200W TO247AC	Для сравнения
STGW30NC60VD	STMicroelectronics	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-247-3	Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube	Для сравнения
IRG4PC50SPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-247-3	In a Tube of 25, Infineon IRG4PC50SPBF IGBT, 70 A 600 V, 3-Pin TO-247AC	Для сравнения