STGW40NC60KD Альтернативные части: IRG4PC50SPBF

STGW40NC60KDSTMicroelectronics

В наличии: 10

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
248.621154 ₽
248.63 ₽
10
234.548255 ₽
2,345.47 ₽
100
221.271937 ₽
22,127.20 ₽
500
208.747115 ₽
104,373.63 ₽
1000
196.931236 ₽
196,931.18 ₽

Цена за единицу: 248.621154 ₽

Итоговая цена: 248.63 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иSTGW40NC60KD	иIRG4PC50SPBF
Производитель:	STMicroelectronics	Infineon Technologies
Описание:	Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube	In a Tube of 25, Infineon IRG4PC50SPBF IGBT, 70 A 600 V, 3-Pin TO-247AC
Состояние жизненного цикла	ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)	-
Срок поставки от производителя	8 Weeks	14 Weeks
Монтаж	Through Hole	Through Hole
Вид крепления	Through Hole	Through Hole
Корпус / Кейс	TO-247-3	TO-247-3
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	600V	600V
Количество элементов	1	1
Условия испытания	480V, 30A, 10 Ω, 15V	480V, 41A, 5 Ω, 15V
Время отключения	164 ns	650 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tube	Bulk
Серия	PowerMESH™	-
Код JESD-609	e3	e3
Состояние изделия	Active	Last Time Buy
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3
Код ECCN	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Tin (Sn)	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Максимальная потеря мощности	250W	200W
Основной номер части	STGW40	-
Число контактов	3	-
Код JESD-30	R-PSFM-T3	-
Конфигурация элемента	Single	Dual
Распад мощности	250W	200W
Входной тип	Standard	Standard
Время задержки включения	46 ns	33 ns
Применение транзистора	POWER CONTROL	-
Полярность/Тип канала	N-CHANNEL	N-CHANNEL
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	600V	1.36V
Максимальный ток сбора	70A	70A
Время обратной рекомпенсации	45 ns	-
Время включения	64 ns	62 ns
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	2.7V @ 15V, 30A	1.36V @ 15V, 41A
Время выключения (toff)	338 ns	1700 ns
Зарядная мощность	135nC	180nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)	220A	140A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C	46ns/164ns	33ns/650ns
Переключаемый энергопотребление	595μJ (on), 716μJ (off)	720μJ (on), 8.27mJ (off)
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)	20V	20V
Максимальное напряжение на переходе ГЭ	6.5V	6V
Корпусировка на излучение	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free
Количество контактов	-	3
Опубликовано	-	2000
Ток постоянного напряжения - номинальный	-	600V
Положение терминала	-	SINGLE
Температура пайки (пиковая) (°C)	-	250
Моментальный ток	-	70A
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	-	30
Сокетная связка	-	COLLECTOR
Время подъема	-	30ns
Код JEDEC-95	-	TO-247AC
Время падения максимальное (tf)	-	600ns
Высота	-	20.2946mm
Длина	-	15.875mm
Ширина	-	5.3mm
REACH SVHC	-	No SVHC

Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
IRGP35B60PDPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-247-3	IGBT 600V 60A 308W TO247AC	Для сравнения
IRG4PC50FPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-247-3	IGBT 600V 70A 200W TO247AC	Для сравнения
STGW30NC60VD	STMicroelectronics	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-247-3	Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube	Для сравнения
IRG4PC50SPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-247-3	In a Tube of 25, Infineon IRG4PC50SPBF IGBT, 70 A 600 V, 3-Pin TO-247AC	Для сравнения