STGW35HF60W Альтернативные части: STGW30V60DF ,STGW20NC60VD

STGW35HF60WSTMicroelectronics

В наличии: 1

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
124.632624 ₽
124.59 ₽
10
117.577981 ₽
1,175.82 ₽
100
110.922555 ₽
11,092.31 ₽
500
104.643915 ₽
52,321.98 ₽
1000
98.720742 ₽
98,720.74 ₽

Цена за единицу: 124.632624 ₽

Итоговая цена: 124.59 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иSTGW35HF60W	иSTGW30V60DF	иSTGW20NC60VD
Производитель:	STMicroelectronics	STMicroelectronics	STMicroelectronics
Описание:	Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube	IGBT 600V 60A 258W TO247	STMICROELECTRONICS STGW20NC60VD IGBT Single Transistor, 60 A, 2.5 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 Pins
Срок поставки от производителя	8 Weeks	20 Weeks	8 Weeks
Монтаж	Through Hole	Through Hole	Through Hole
Вид крепления	Through Hole	Through Hole	Through Hole
Корпус / Кейс	TO-247-3	TO-247-3	TO-247-3
Вес	6.500007g	-	38.000013g
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	600V	600V	600V
Количество элементов	1	1	1
Условия испытания	400V, 20A, 10 Ω, 15V	400V, 30A, 10 Ω, 15V	390V, 20A, 3.3 Ω, 15V
Время отключения	175 ns	-	100 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~175°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tube	Tube	Tube
Код JESD-609	e3	-	e3
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3	3
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Tin (Sn)	-	Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика	LOW CONDUCTION LOSS	-	ULTRA FAST
Максимальная потеря мощности	200W	258W	200W
Основной номер части	STGW35	STGW30	STGW20
Число контактов	3	-	3
Код JESD-30	R-PSFM-T3	-	-
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Входной тип	Standard	Standard	Standard
Время задержки включения	30 ns	-	31 ns
Мощность - Макс	200W	-	-
Применение транзистора	POWER CONTROL	POWER CONTROL	POWER CONTROL
Полярность/Тип канала	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	600V	600V	600V
Максимальный ток сбора	60A	60A	60A
Время включения	45 ns	59 ns	42.5 ns
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	2.5V @ 15V, 20A	2.3V @ 15V, 30A	2.5V @ 15V, 20A
Время выключения (toff)	295 ns	225 ns	280 ns
Зарядная мощность	140nC	163nC	100nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)	150A	120A	150A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C	30ns/175ns	45ns/189ns	31ns/100ns
Переключаемый энергопотребление	290μJ (on), 185μJ (off)	383μJ (on), 233μJ (off)	220μJ (on), 330μJ (off)
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)	20V	-	20V
Максимальное напряжение на переходе ГЭ	5.75V	-	5.75V
Корпусировка на излучение	No	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	-	Lead Free
Количество контактов	-	3	3
Распад мощности	-	258W	200W
Время обратной рекомпенсации	-	53 ns	44ns
Тип ИGBT	-	Trench Field Stop	-
Высота	-	20.15mm	20.15mm
Длина	-	15.75mm	15.75mm
Ширина	-	5.15mm	5.15mm
Состояние жизненного цикла	-	-	ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
Серия	-	-	PowerMESH™
Ток постоянного напряжения - номинальный	-	-	600V
Моментальный ток	-	-	30A
Время подъема	-	-	11.5ns
Прямоходящий ток коллектора	-	-	30A
REACH SVHC	-	-	No SVHC

Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
STGW30V60DF	STMicroelectronics	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-247-3	IGBT 600V 60A 258W TO247	Для сравнения
STGW20NC60VD	STMicroelectronics	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-247-3	STMICROELECTRONICS STGW20NC60VD IGBT Single Transistor, 60 A, 2.5 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 Pins	Для сравнения
HGTG20N60A4	ON Semiconductor	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-247-3	IGBT 600V 70A 290W TO247	Для сравнения
STGW30NC60WD	STMicroelectronics	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-247-3	STMICROELECTRONICS STGW30NC60WD IGBT Single Transistor, 60 A, 2.5 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 Pins	Для сравнения