STGW35HF60W Альтернативные части: HGTG20N60A4

STGW35HF60WSTMicroelectronics

В наличии: 1

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
124.632624 ₽
124.59 ₽
10
117.577981 ₽
1,175.82 ₽
100
110.922555 ₽
11,092.31 ₽
500
104.643915 ₽
52,321.98 ₽
1000
98.720742 ₽
98,720.74 ₽

Цена за единицу: 124.632624 ₽

Итоговая цена: 124.59 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иSTGW35HF60W	иHGTG20N60A4
Производитель:	STMicroelectronics	ON Semiconductor
Описание:	Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube	IGBT 600V 70A 290W TO247
Срок поставки от производителя	8 Weeks	4 Weeks
Монтаж	Through Hole	Through Hole
Вид крепления	Through Hole	Through Hole
Корпус / Кейс	TO-247-3	TO-247-3
Вес	6.500007g	6.39g
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	600V	600V
Количество элементов	1	1
Условия испытания	400V, 20A, 10 Ω, 15V	390V, 20A, 3 Ω, 15V
Время отключения	175 ns	73 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tube	Tube
Код JESD-609	e3	e3
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3
Код ECCN	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Tin (Sn)	-
Дополнительная Характеристика	LOW CONDUCTION LOSS	LOW CONDUCTION LOSS
Максимальная потеря мощности	200W	290W
Основной номер части	STGW35	HGTG20N60
Число контактов	3	-
Код JESD-30	R-PSFM-T3	-
Конфигурация элемента	Single	Single
Входной тип	Standard	Standard
Время задержки включения	30 ns	15 ns
Мощность - Макс	200W	-
Применение транзистора	POWER CONTROL	POWER CONTROL
Полярность/Тип канала	N-CHANNEL	N-CHANNEL
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	600V	600V
Максимальный ток сбора	60A	70A
Время включения	45 ns	28 ns
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	2.5V @ 15V, 20A	2.7V @ 15V, 20A
Время выключения (toff)	295 ns	160 ns
Зарядная мощность	140nC	142nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)	150A	280A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C	30ns/175ns	15ns/73ns
Переключаемый энергопотребление	290μJ (on), 185μJ (off)	105μJ (on), 150μJ (off)
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)	20V	20V
Максимальное напряжение на переходе ГЭ	5.75V	7V
Корпусировка на излучение	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free
Состояние жизненного цикла	-	ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Покрытие контактов	-	Tin
Количество контактов	-	3
Опубликовано	-	2011
Безоловая кодировка	-	yes
Код ТН ВЭД	-	8541.29.00.95
Ток постоянного напряжения - номинальный	-	600V
Моментальный ток	-	70A
Распад мощности	-	290W
Сокетная связка	-	COLLECTOR
Время подъема	-	12ns
Высота	-	20.82mm
Длина	-	15.87mm
Ширина	-	4.82mm
REACH SVHC	-	No SVHC

Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
STGW30V60DF	STMicroelectronics	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-247-3	IGBT 600V 60A 258W TO247	Для сравнения
STGW20NC60VD	STMicroelectronics	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-247-3	STMICROELECTRONICS STGW20NC60VD IGBT Single Transistor, 60 A, 2.5 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 Pins	Для сравнения
HGTG20N60A4	ON Semiconductor	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-247-3	IGBT 600V 70A 290W TO247	Для сравнения
STGW30NC60WD	STMicroelectronics	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-247-3	STMICROELECTRONICS STGW30NC60WD IGBT Single Transistor, 60 A, 2.5 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 Pins	Для сравнения