STGW30H60DFB Альтернативные части: RJH60F4DPQ-A0#T0 ,IRG4PC40FDPBF

STGW30H60DFBSTMicroelectronics

  • STGW30H60DFBSTMicroelectronics
  • RJH60F4DPQ-A0#T0Renesas Electronics America
  • IRG4PC40FDPBFInfineon Technologies

В наличии: 1342

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    329.091538 ₽

    329.12 ₽

  • 10

    310.463709 ₽

    3,104.67 ₽

  • 100

    292.890316 ₽

    29,289.01 ₽

  • 500

    276.311593 ₽

    138,155.77 ₽

  • 1000

    260.671291 ₽

    260,671.29 ₽

Цена за единицу: 329.091538 ₽

Итоговая цена: 329.12 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin TO-247 Tube
IGBT 600V 60A 235.8W TO247A
IGBT 600V 49A 160W TO247AC
Срок поставки от производителя
20 Weeks
16 Weeks
14 Weeks
Монтаж
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Вид крепления
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Корпус / Кейс
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3
Количество контактов
3
3
3
Вес
38.000013g
-
38.000013g
Диэлектрический пробой напряжение
600V
600V
600V
Условия испытания
400V, 30A, 10 Ω, 15V
400V, 30A, 5 Ω, 15V
480V, 27A, 10 Ω, 15V
Рабочая температура
-55°C~175°C TJ
150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tube
Tube
Tube
Состояние изделия
Active
Active
Last Time Buy
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Максимальная потеря мощности
260W
235.8W
160W
Температура пайки (пиковая) (°C)
NOT SPECIFIED
-
-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
NOT SPECIFIED
-
-
Основной номер части
STGW30
RJH60F
-
Конфигурация элемента
Single
Single
Single
Входной тип
Standard
Standard
Standard
Мощность - Макс
260W
235.8W
-
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
600V
600V
1.7V
Максимальный ток сбора
60A
60A
49A
Время обратной рекомпенсации
53 ns
90 ns
42 ns
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 30A
1.82V @ 15V, 30A
1.7V @ 15V, 27A
Тип ИGBT
Trench Field Stop
Trench
-
Зарядная мощность
149nC
-
100nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)
120A
-
196A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C
37ns/146ns
45ns/85ns
63ns/230ns
Переключаемый энергопотребление
383μJ (on), 293μJ (off)
-
950μJ (on), 2.01mJ (off)
Высота
20.15mm
-
20.2946mm
Длина
15.75mm
-
15.875mm
Ширина
5.15mm
-
5.3mm
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
-
Lead Free
Материал элемента транзистора
-
SILICON
SILICON
Количество элементов
-
1
1
Опубликовано
-
2007
1998
Количество выводов
-
3
3
Число контактов
-
3
-
Сокетная связка
-
COLLECTOR
COLLECTOR
Применение транзистора
-
POWER CONTROL
POWER CONTROL
Полярность/Тип канала
-
N-CHANNEL
N-CHANNEL
Время включения
-
195 ns
96 ns
Время выключения (toff)
-
165 ns
660 ns
Максимальное напряжение на переходе ГЭ
-
8V
6V
Корпусировка на излучение
-
No
No
Время отключения
-
-
230 ns
Завершение
-
-
Through Hole
Ток постоянного напряжения - номинальный
-
-
600V
Моментальный ток
-
-
49A
Распад мощности
-
-
160W
Время задержки включения
-
-
63 ns
Время подъема
-
-
32ns
Код JEDEC-95
-
-
TO-247AC
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)
-
-
20V
REACH SVHC
-
-
No SVHC