Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
STGW30H60DFB Альтернативные части: RJH60F4DPQ-A0#T0
STGW30H60DFBSTMicroelectronics
В наличии: 1342
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
329.091538 ₽
329.12 ₽
10
310.463709 ₽
3,104.67 ₽
100
292.890316 ₽
29,289.01 ₽
500
276.311593 ₽
138,155.77 ₽
1000
260.671291 ₽
260,671.29 ₽
Цена за единицу: 329.091538 ₽
Итоговая цена: 329.12 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin TO-247 Tube | IGBT 600V 60A 235.8W TO247A |
Срок поставки от производителя | 20 Weeks | 16 Weeks |
Монтаж | Through Hole | Through Hole |
Вид крепления | Through Hole | Through Hole |
Корпус / Кейс | TO-247-3 | TO-247-3 |
Количество контактов | 3 | 3 |
Вес | 38.000013g | - |
Диэлектрический пробой напряжение | 600V | 600V |
Условия испытания | 400V, 30A, 10 Ω, 15V | 400V, 30A, 5 Ω, 15V |
Рабочая температура | -55°C~175°C TJ | 150°C TJ |
Пакетирование | Tube | Tube |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Максимальная потеря мощности | 260W | 235.8W |
Температура пайки (пиковая) (°C) | NOT SPECIFIED | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | NOT SPECIFIED | - |
Основной номер части | STGW30 | RJH60F |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Входной тип | Standard | Standard |
Мощность - Макс | 260W | 235.8W |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 600V | 600V |
Максимальный ток сбора | 60A | 60A |
Время обратной рекомпенсации | 53 ns | 90 ns |
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 30A | 1.82V @ 15V, 30A |
Тип ИGBT | Trench Field Stop | Trench |
Зарядная мощность | 149nC | - |
Ток-эmitter импульсированный (Icm) | 120A | - |
Тд (вкл/выкл) @ 25°C | 37ns/146ns | 45ns/85ns |
Переключаемый энергопотребление | 383μJ (on), 293μJ (off) | - |
Высота | 20.15mm | - |
Длина | 15.75mm | - |
Ширина | 5.15mm | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | - |
Материал элемента транзистора | - | SILICON |
Количество элементов | - | 1 |
Опубликовано | - | 2007 |
Количество выводов | - | 3 |
Число контактов | - | 3 |
Сокетная связка | - | COLLECTOR |
Применение транзистора | - | POWER CONTROL |
Полярность/Тип канала | - | N-CHANNEL |
Время включения | - | 195 ns |
Время выключения (toff) | - | 165 ns |
Максимальное напряжение на переходе ГЭ | - | 8V |
Корпусировка на излучение | - | No |
Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | RJH60F4DPQ-A0#T0 | Renesas Electronics America | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-247-3 | IGBT 600V 60A 235.8W TO247A | Для сравнения |
 | IRG4PC40FDPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-247-3 | IGBT 600V 49A 160W TO247AC | Для сравнения |
| IRG4PC40SPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-247-3 | IGBT 600V 60A 160W TO247AC | Для сравнения |