STGW30H60DFB Альтернативные части: IRG4PC40FDPBF ,IRG4PC40SPBF

STGW30H60DFBSTMicroelectronics

В наличии: 1342

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
329.091538 ₽
329.12 ₽
10
310.463709 ₽
3,104.67 ₽
100
292.890316 ₽
29,289.01 ₽
500
276.311593 ₽
138,155.77 ₽
1000
260.671291 ₽
260,671.29 ₽

Цена за единицу: 329.091538 ₽

Итоговая цена: 329.12 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иSTGW30H60DFB	иIRG4PC40FDPBF	иIRG4PC40SPBF
Производитель:	STMicroelectronics	Infineon Technologies	Infineon Technologies
Описание:	Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin TO-247 Tube	IGBT 600V 49A 160W TO247AC	IGBT 600V 60A 160W TO247AC
Срок поставки от производителя	20 Weeks	14 Weeks	14 Weeks
Монтаж	Through Hole	Through Hole	Through Hole
Вид крепления	Through Hole	Through Hole	Through Hole
Корпус / Кейс	TO-247-3	TO-247-3	TO-247-3
Количество контактов	3	3	3
Вес	38.000013g	38.000013g	-
Диэлектрический пробой напряжение	600V	600V	600V
Условия испытания	400V, 30A, 10 Ω, 15V	480V, 27A, 10 Ω, 15V	480V, 31A, 10 Ω, 15V
Рабочая температура	-55°C~175°C TJ	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tube	Tube	Tube
Состояние изделия	Active	Last Time Buy	Last Time Buy
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Максимальная потеря мощности	260W	160W	160W
Температура пайки (пиковая) (°C)	NOT SPECIFIED	-	-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	NOT SPECIFIED	-	-
Основной номер части	STGW30	-	-
Конфигурация элемента	Single	Single	Dual
Входной тип	Standard	Standard	Standard
Мощность - Макс	260W	-	-
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	600V	1.7V	1.5V
Максимальный ток сбора	60A	49A	60A
Время обратной рекомпенсации	53 ns	42 ns	-
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	2V @ 15V, 30A	1.7V @ 15V, 27A	1.5V @ 15V, 31A
Тип ИGBT	Trench Field Stop	-	-
Зарядная мощность	149nC	100nC	100nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)	120A	196A	120A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C	37ns/146ns	63ns/230ns	22ns/650ns
Переключаемый энергопотребление	383μJ (on), 293μJ (off)	950μJ (on), 2.01mJ (off)	450μJ (on), 6.5mJ (off)
Высота	20.15mm	20.2946mm	20.7mm
Длина	15.75mm	15.875mm	15.87mm
Ширина	5.15mm	5.3mm	5.3086mm
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	Lead Free
Материал элемента транзистора	-	SILICON	SILICON
Количество элементов	-	1	1
Время отключения	-	230 ns	650 ns
Опубликовано	-	1998	2000
Количество выводов	-	3	3
Завершение	-	Through Hole	Through Hole
Ток постоянного напряжения - номинальный	-	600V	600V
Моментальный ток	-	49A	60A
Распад мощности	-	160W	160W
Сокетная связка	-	COLLECTOR	COLLECTOR
Время задержки включения	-	63 ns	22 ns
Применение транзистора	-	POWER CONTROL	-
Время подъема	-	32ns	18ns
Полярность/Тип канала	-	N-CHANNEL	N-CHANNEL
Код JEDEC-95	-	TO-247AC	TO-247AC
Время включения	-	96 ns	44 ns
Время выключения (toff)	-	660 ns	1940 ns
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)	-	20V	20V
Максимальное напряжение на переходе ГЭ	-	6V	6V
REACH SVHC	-	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	-	No	No
Положение терминала	-	-	SINGLE
Время падения максимальное (tf)	-	-	570ns

Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
RJH60F4DPQ-A0#T0	Renesas Electronics America	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-247-3	IGBT 600V 60A 235.8W TO247A	Для сравнения
IRG4PC40FDPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-247-3	IGBT 600V 49A 160W TO247AC	Для сравнения
IRG4PC40SPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-247-3	IGBT 600V 60A 160W TO247AC	Для сравнения