STGF7NC60HD Альтернативные части: STGF10NC60KD ,SGS5N60RUFDTU

STGF7NC60HDSTMicroelectronics

В наличии: 36310

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
57.787706 ₽
57.83 ₽
10
54.516745 ₽
545.19 ₽
100
51.430865 ₽
5,143.13 ₽
500
48.519698 ₽
24,259.89 ₽
1000
45.773269 ₽
45,773.21 ₽

Цена за единицу: 57.787706 ₽

Итоговая цена: 57.83 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иSTGF7NC60HD	иSTGF10NC60KD	иSGS5N60RUFDTU
Производитель:	STMicroelectronics	STMicroelectronics	ON Semiconductor
Описание:	Trans IGBT Chip N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube	In a Pack of 10, STMicroelectronics STGF10NC60KD IGBT, 9 A 600 V, 3-Pin TO-220FP	IGBT 600V 8A 35W TO220F
Состояние жизненного цикла	NRND (Last Updated: 8 months ago)	ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)	-
Монтаж	Through Hole	Through Hole	Through Hole
Вид крепления	Through Hole	Through Hole	Through Hole
Корпус / Кейс	TO-220-3 Full Pack	TO-220-3 Full Pack	TO-220-3 Full Pack
Количество контактов	3	3	3
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	-
Диэлектрический пробой напряжение	600V	600V	600V
Количество элементов	1	1	-
Условия испытания	390V, 7A, 10 Ω, 15V	390V, 5A, 10 Ω, 15V	300V, 5A, 40 Ω, 15V
Время отключения	72 ns	6.5 ns	-
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tube	Tube	Tube
Серия	PowerMESH™	PowerMESH™	-
Код JESD-609	e3	e3	-
Состояние изделия	Obsolete	Active	Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3	-
Код ECCN	EAR99	EAR99	-
Конечная обработка контакта	Matte Tin (Sn) - annealed	Matte Tin (Sn) - annealed	-
Ток постоянного напряжения - номинальный	600V	600V	600V
Максимальная потеря мощности	25W	25W	35W
Моментальный ток	6A	9A	5A
Основной номер части	STGF7	STGF10	-
Число контактов	3	3	-
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Распад мощности	25W	25W	35W
Сокетная связка	ISOLATED	ISOLATED	-
Входной тип	Standard	Standard	Standard
Время задержки включения	18.5 ns	6 ns	-
Применение транзистора	POWER CONTROL	POWER CONTROL	-
Время подъема	8.5ns	6ns	-
Полярность/Тип канала	N-CHANNEL	N-CHANNEL	-
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	600V	600V	600V
Максимальный ток сбора	10A	9A	8A
Время обратной рекомпенсации	37 ns	22 ns	55ns
Код JEDEC-95	TO-220AB	TO-220AB	-
Время включения	25.5 ns	23 ns	-
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	2.5V @ 15V, 7A	2.5V @ 15V, 5A	2.8V @ 15V, 5A
Время выключения (toff)	221 ns	242 ns	-
Зарядная мощность	35nC	19nC	16nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)	50A	30A	15A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C	18.5ns/72ns	17ns/72ns	13ns/34ns
Переключаемый энергопотребление	95μJ (on), 115μJ (off)	55μJ (on), 85μJ (off)	88μJ (on), 107μJ (off)
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)	20V	20V	-
Максимальное напряжение на переходе ГЭ	5.75V	7V	-
Высота	9.3mm	16.4mm	-
Длина	10.4mm	10.4mm	-
Ширина	4.6mm	4.6mm	-
Корпусировка на излучение	No	No	-
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	RoHS Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	Lead Free
Срок поставки от производителя	-	8 Weeks	-
REACH SVHC	-	No SVHC	-

Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
STGF10NC60KD	STMicroelectronics	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-220-3 Full Pack	In a Pack of 10, STMicroelectronics STGF10NC60KD IGBT, 9 A 600 V, 3-Pin TO-220FP	Для сравнения
SGS5N60RUFDTU	ON Semiconductor	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-220-3 Full Pack	IGBT 600V 8A 35W TO220F	Для сравнения
SGS13N60UFDTU	ON Semiconductor	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-220-3 Full Pack	IGBT 600V 13A 45W TO220F	Для сравнения
STGF14NC60KD	STMicroelectronics	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-220-3 Full Pack	STMICROELECTRONICS STGF14NC60KD IGBT Single Transistor, 11 A, 2.5 V, 28 W, 600 V, TO-220FP, 3 Pins	Для сравнения