STGF7NC60HD Альтернативные части: STGF14NC60KD

STGF7NC60HDSTMicroelectronics

В наличии: 36310

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
57.787706 ₽
57.83 ₽
10
54.516745 ₽
545.19 ₽
100
51.430865 ₽
5,143.13 ₽
500
48.519698 ₽
24,259.89 ₽
1000
45.773269 ₽
45,773.21 ₽

Цена за единицу: 57.787706 ₽

Итоговая цена: 57.83 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иSTGF7NC60HD	иSTGF14NC60KD
Производитель:	STMicroelectronics	STMicroelectronics
Описание:	Trans IGBT Chip N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube	STMICROELECTRONICS STGF14NC60KD IGBT Single Transistor, 11 A, 2.5 V, 28 W, 600 V, TO-220FP, 3 Pins
Состояние жизненного цикла	NRND (Last Updated: 8 months ago)	ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
Монтаж	Through Hole	Through Hole
Вид крепления	Through Hole	Through Hole
Корпус / Кейс	TO-220-3 Full Pack	TO-220-3 Full Pack
Количество контактов	3	3
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	600V	600V
Количество элементов	1	1
Условия испытания	390V, 7A, 10 Ω, 15V	390V, 7A, 10 Ω, 15V
Время отключения	72 ns	116 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tube	Tube
Серия	PowerMESH™	PowerMESH™
Код JESD-609	e3	e3
Состояние изделия	Obsolete	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3
Код ECCN	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Matte Tin (Sn) - annealed	Matte Tin (Sn)
Ток постоянного напряжения - номинальный	600V	600V
Максимальная потеря мощности	25W	28W
Моментальный ток	6A	11A
Основной номер части	STGF7	STGF14
Число контактов	3	3
Конфигурация элемента	Single	Single
Распад мощности	25W	28W
Сокетная связка	ISOLATED	ISOLATED
Входной тип	Standard	Standard
Время задержки включения	18.5 ns	22.5 ns
Применение транзистора	POWER CONTROL	POWER CONTROL
Время подъема	8.5ns	8.5ns
Полярность/Тип канала	N-CHANNEL	N-CHANNEL
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	600V	600V
Максимальный ток сбора	10A	11A
Время обратной рекомпенсации	37 ns	37 ns
Код JEDEC-95	TO-220AB	TO-220AB
Время включения	25.5 ns	31.5 ns
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	2.5V @ 15V, 7A	2.5V @ 15V, 7A
Время выключения (toff)	221 ns	340 ns
Зарядная мощность	35nC	34.4nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)	50A	50A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C	18.5ns/72ns	22.5ns/116ns
Переключаемый энергопотребление	95μJ (on), 115μJ (off)	82μJ (on), 155μJ (off)
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)	20V	20V
Максимальное напряжение на переходе ГЭ	5.75V	7V
Высота	9.3mm	9.3mm
Длина	10.4mm	10.4mm
Ширина	4.6mm	4.6mm
Корпусировка на излучение	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free
Срок поставки от производителя	-	8 Weeks
Вес	-	2.299997g
Дополнительная Характеристика	-	ULTRA FAST
Прямоходящий ток коллектора	-	7A
REACH SVHC	-	No SVHC

Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
STGF10NC60KD	STMicroelectronics	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-220-3 Full Pack	In a Pack of 10, STMicroelectronics STGF10NC60KD IGBT, 9 A 600 V, 3-Pin TO-220FP	Для сравнения
SGS5N60RUFDTU	ON Semiconductor	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-220-3 Full Pack	IGBT 600V 8A 35W TO220F	Для сравнения
SGS13N60UFDTU	ON Semiconductor	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-220-3 Full Pack	IGBT 600V 13A 45W TO220F	Для сравнения
STGF14NC60KD	STMicroelectronics	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-220-3 Full Pack	STMICROELECTRONICS STGF14NC60KD IGBT Single Transistor, 11 A, 2.5 V, 28 W, 600 V, TO-220FP, 3 Pins	Для сравнения