STGF7NC60HD Альтернативные части: SGS13N60UFDTU ,STGF14NC60KD

STGF7NC60HDSTMicroelectronics

В наличии: 36310

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
57.787706 ₽
57.83 ₽
10
54.516745 ₽
545.19 ₽
100
51.430865 ₽
5,143.13 ₽
500
48.519698 ₽
24,259.89 ₽
1000
45.773269 ₽
45,773.21 ₽

Цена за единицу: 57.787706 ₽

Итоговая цена: 57.83 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иSTGF7NC60HD	иSGS13N60UFDTU	иSTGF14NC60KD
Производитель:	STMicroelectronics	ON Semiconductor	STMicroelectronics
Описание:	Trans IGBT Chip N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube	IGBT 600V 13A 45W TO220F	STMICROELECTRONICS STGF14NC60KD IGBT Single Transistor, 11 A, 2.5 V, 28 W, 600 V, TO-220FP, 3 Pins
Состояние жизненного цикла	NRND (Last Updated: 8 months ago)	-	ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
Монтаж	Through Hole	Through Hole	Through Hole
Вид крепления	Through Hole	Through Hole	Through Hole
Корпус / Кейс	TO-220-3 Full Pack	TO-220-3 Full Pack	TO-220-3 Full Pack
Количество контактов	3	3	3
Материал элемента транзистора	SILICON	-	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	600V	600V	600V
Количество элементов	1	-	1
Условия испытания	390V, 7A, 10 Ω, 15V	300V, 6.5A, 50 Ω, 15V	390V, 7A, 10 Ω, 15V
Время отключения	72 ns	-	116 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tube	Tube	Tube
Серия	PowerMESH™	-	PowerMESH™
Код JESD-609	e3	-	e3
Состояние изделия	Obsolete	Obsolete	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	-	3
Код ECCN	EAR99	-	EAR99
Конечная обработка контакта	Matte Tin (Sn) - annealed	-	Matte Tin (Sn)
Ток постоянного напряжения - номинальный	600V	600V	600V
Максимальная потеря мощности	25W	45W	28W
Моментальный ток	6A	6.5A	11A
Основной номер части	STGF7	SG*13N60	STGF14
Число контактов	3	-	3
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Распад мощности	25W	45W	28W
Сокетная связка	ISOLATED	-	ISOLATED
Входной тип	Standard	Standard	Standard
Время задержки включения	18.5 ns	-	22.5 ns
Применение транзистора	POWER CONTROL	-	POWER CONTROL
Время подъема	8.5ns	-	8.5ns
Полярность/Тип канала	N-CHANNEL	-	N-CHANNEL
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	600V	600V	600V
Максимальный ток сбора	10A	13A	11A
Время обратной рекомпенсации	37 ns	55ns	37 ns
Код JEDEC-95	TO-220AB	-	TO-220AB
Время включения	25.5 ns	-	31.5 ns
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	2.5V @ 15V, 7A	2.6V @ 15V, 6.5A	2.5V @ 15V, 7A
Время выключения (toff)	221 ns	-	340 ns
Зарядная мощность	35nC	25nC	34.4nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)	50A	52A	50A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C	18.5ns/72ns	20ns/70ns	22.5ns/116ns
Переключаемый энергопотребление	95μJ (on), 115μJ (off)	85μJ (on), 95μJ (off)	82μJ (on), 155μJ (off)
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)	20V	-	20V
Максимальное напряжение на переходе ГЭ	5.75V	-	7V
Высота	9.3mm	-	9.3mm
Длина	10.4mm	-	10.4mm
Ширина	4.6mm	-	4.6mm
Корпусировка на излучение	No	-	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	RoHS Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	Lead Free
Срок поставки от производителя	-	-	8 Weeks
Вес	-	-	2.299997g
Дополнительная Характеристика	-	-	ULTRA FAST
Прямоходящий ток коллектора	-	-	7A
REACH SVHC	-	-	No SVHC

Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
STGF10NC60KD	STMicroelectronics	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-220-3 Full Pack	In a Pack of 10, STMicroelectronics STGF10NC60KD IGBT, 9 A 600 V, 3-Pin TO-220FP	Для сравнения
SGS5N60RUFDTU	ON Semiconductor	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-220-3 Full Pack	IGBT 600V 8A 35W TO220F	Для сравнения
SGS13N60UFDTU	ON Semiconductor	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-220-3 Full Pack	IGBT 600V 13A 45W TO220F	Для сравнения
STGF14NC60KD	STMicroelectronics	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-220-3 Full Pack	STMICROELECTRONICS STGF14NC60KD IGBT Single Transistor, 11 A, 2.5 V, 28 W, 600 V, TO-220FP, 3 Pins	Для сравнения