STGF10NC60SD Альтернативные части: STGF14NC60KD

STGF10NC60SDSTMicroelectronics

В наличии: 1799

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
42.417308 ₽
42.45 ₽
10
40.016277 ₽
400.14 ₽
100
37.751209 ₽
3,775.14 ₽
500
35.614423 ₽
17,807.14 ₽
1000
33.598516 ₽
33,598.49 ₽

Цена за единицу: 42.417308 ₽

Итоговая цена: 42.45 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иSTGF10NC60SD	иSTGF14NC60KD
Производитель:	STMicroelectronics	STMicroelectronics
Описание:	IGBT 600V 10A 25W TP220FP	STMICROELECTRONICS STGF14NC60KD IGBT Single Transistor, 11 A, 2.5 V, 28 W, 600 V, TO-220FP, 3 Pins
Монтаж	Through Hole	Through Hole
Вид крепления	Through Hole	Through Hole
Корпус / Кейс	TO-220-3 Full Pack	TO-220-3 Full Pack
Количество контактов	3	3
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	600V	600V
Количество элементов	1	1
Условия испытания	390V, 5A, 10 Ω, 15V	390V, 7A, 10 Ω, 15V
Время отключения	160 ns	116 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tube	Tube
Серия	PowerMESH™	PowerMESH™
Код JESD-609	e3	e3
Состояние изделия	Obsolete	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3
Код ECCN	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Matte Tin (Sn) - annealed	Matte Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика	ULTRA FAST	ULTRA FAST
Максимальная потеря мощности	25W	28W
Основной номер части	STGF10	STGF14
Число контактов	3	3
Конфигурация элемента	Single	Single
Распад мощности	25W	28W
Сокетная связка	ISOLATED	ISOLATED
Входной тип	Standard	Standard
Время задержки включения	19 ns	22.5 ns
Применение транзистора	POWER CONTROL	POWER CONTROL
Полярность/Тип канала	N-CHANNEL	N-CHANNEL
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	600V	600V
Максимальный ток сбора	10A	11A
Время обратной рекомпенсации	22 ns	37 ns
Код JEDEC-95	TO-220AB	TO-220AB
Время включения	22.5 ns	31.5 ns
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	1.65V @ 15V, 5A	2.5V @ 15V, 7A
Время выключения (toff)	560 ns	340 ns
Зарядная мощность	18nC	34.4nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)	25A	50A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C	19ns/160ns	22.5ns/116ns
Переключаемый энергопотребление	60μJ (on), 340μJ (off)	82μJ (on), 155μJ (off)
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)	20V	20V
Максимальное напряжение на переходе ГЭ	5.75V	7V
Корпусировка на излучение	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free
Состояние жизненного цикла	-	ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
Срок поставки от производителя	-	8 Weeks
Вес	-	2.299997g
Ток постоянного напряжения - номинальный	-	600V
Моментальный ток	-	11A
Время подъема	-	8.5ns
Прямоходящий ток коллектора	-	7A
Высота	-	9.3mm
Длина	-	10.4mm
Ширина	-	4.6mm
REACH SVHC	-	No SVHC

Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
STGF7NC60HD	STMicroelectronics	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-220-3 Full Pack	Trans IGBT Chip N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube	Для сравнения
IRGB4059DPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-220-3	IGBT 600V 8A 56W TO220AB	Для сравнения
STGP8NC60KD	STMicroelectronics	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-220-3	IGBT 600V 15A 65W TO220	Для сравнения
STGF14NC60KD	STMicroelectronics	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-220-3 Full Pack	STMICROELECTRONICS STGF14NC60KD IGBT Single Transistor, 11 A, 2.5 V, 28 W, 600 V, TO-220FP, 3 Pins	Для сравнения