STGF10NC60SD Альтернативные части: IRGB4059DPBF

STGF10NC60SDSTMicroelectronics

В наличии: 1799

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
42.417308 ₽
42.45 ₽
10
40.016277 ₽
400.14 ₽
100
37.751209 ₽
3,775.14 ₽
500
35.614423 ₽
17,807.14 ₽
1000
33.598516 ₽
33,598.49 ₽

Цена за единицу: 42.417308 ₽

Итоговая цена: 42.45 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иSTGF10NC60SD	иIRGB4059DPBF
Производитель:	STMicroelectronics	Infineon Technologies
Описание:	IGBT 600V 10A 25W TP220FP	IGBT 600V 8A 56W TO220AB
Монтаж	Through Hole	Through Hole
Вид крепления	Through Hole	Through Hole
Корпус / Кейс	TO-220-3 Full Pack	TO-220-3
Количество контактов	3	3
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	600V	2.2V
Количество элементов	1	1
Условия испытания	390V, 5A, 10 Ω, 15V	400V, 4A, 100 Ω, 15V
Время отключения	160 ns	65 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~175°C TJ
Пакетирование	Tube	Tube
Серия	PowerMESH™	-
Код JESD-609	e3	-
Состояние изделия	Obsolete	Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3
Код ECCN	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Matte Tin (Sn) - annealed	-
Дополнительная Характеристика	ULTRA FAST	ULTRA FAST SOFT RECOVERY
Максимальная потеря мощности	25W	56W
Основной номер части	STGF10	-
Число контактов	3	-
Конфигурация элемента	Single	Single
Распад мощности	25W	56W
Сокетная связка	ISOLATED	COLLECTOR
Входной тип	Standard	Standard
Время задержки включения	19 ns	25 ns
Применение транзистора	POWER CONTROL	POWER CONTROL
Полярность/Тип канала	N-CHANNEL	N-CHANNEL
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	600V	2.05V
Максимальный ток сбора	10A	8A
Время обратной рекомпенсации	22 ns	55 ns
Код JEDEC-95	TO-220AB	TO-220AB
Время включения	22.5 ns	35 ns
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	1.65V @ 15V, 5A	2.05V @ 15V, 4A
Время выключения (toff)	560 ns	120 ns
Зарядная мощность	18nC	9nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)	25A	16A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C	19ns/160ns	25ns/65ns
Переключаемый энергопотребление	60μJ (on), 340μJ (off)	35μJ (on), 75μJ (off)
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)	20V	20V
Максимальное напряжение на переходе ГЭ	5.75V	6.5V
Корпусировка на излучение	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	RoHS Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free
Вес	-	6.000006g
Опубликовано	-	2001
Завершение	-	Through Hole
Время подъема	-	10ns
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)	-	600V
Тип ИGBT	-	Trench
Время падения максимальное (tf)	-	20ns
Высота	-	9.02mm
Длина	-	10.66mm
Ширина	-	4.82mm
REACH SVHC	-	No SVHC

Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
STGF7NC60HD	STMicroelectronics	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-220-3 Full Pack	Trans IGBT Chip N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube	Для сравнения
IRGB4059DPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-220-3	IGBT 600V 8A 56W TO220AB	Для сравнения
STGP8NC60KD	STMicroelectronics	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-220-3	IGBT 600V 15A 65W TO220	Для сравнения
STGF14NC60KD	STMicroelectronics	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-220-3 Full Pack	STMICROELECTRONICS STGF14NC60KD IGBT Single Transistor, 11 A, 2.5 V, 28 W, 600 V, TO-220FP, 3 Pins	Для сравнения