STGF10H60DF Альтернативные части: NGTB15N60R2FG ,IRGB4064DPBF

STGF10H60DFSTMicroelectronics

В наличии: 1018

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
149.674286 ₽
149.73 ₽
10
141.202143 ₽
1,412.09 ₽
100
133.209533 ₽
13,321.02 ₽
500
125.669409 ₽
62,834.75 ₽
1000
118.556044 ₽
118,556.04 ₽

Цена за единицу: 149.674286 ₽

Итоговая цена: 149.73 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иSTGF10H60DF	иNGTB15N60R2FG	иIRGB4064DPBF
Производитель:	STMicroelectronics	ON Semiconductor	Infineon Technologies
Описание:	IGBT 600V 20A 30W TO220FP	ON SEMICONDUCTOR NGTB15N60R2FG IGBT Single Transistor, 24 A, 1.85 V, 54 W, 600 V, TO-220F, 3 Pins	IGBT 600V 20A 101W TO220AB
Состояние жизненного цикла	ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)	ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)	-
Срок поставки от производителя	20 Weeks	4 Weeks	99 Weeks
Монтаж	Through Hole	Through Hole	Through Hole
Вид крепления	Through Hole	Through Hole	Through Hole
Корпус / Кейс	TO-220-3 Full Pack	TO-220-3 Full Pack	TO-220-3
Количество контактов	3	3	3
Вес	2.299997g	-	6.000006g
Диэлектрический пробой напряжение	600V	600V	600V
Условия испытания	400V, 10A, 10 Ω, 15V	300V, 15A, 30 Ω, 15V	400V, 10A, 22 Ω, 15V
Рабочая температура	-55°C~175°C TJ	175°C TJ	-55°C~175°C TJ
Пакетирование	Tube	Tube	Tube
Состояние изделия	Active	Active	Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Код ECCN	EAR99	-	EAR99
Максимальная потеря мощности	30W	54W	101W
Температура пайки (пиковая) (°C)	NOT SPECIFIED	-	-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	NOT SPECIFIED	-	-
Основной номер части	STGF10	-	-
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Входной тип	Standard	Standard	Standard
Мощность - Макс	30W	54W	-
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	600V	2.1V	1.91V
Максимальный ток сбора	20A	24A	20A
Время обратной рекомпенсации	107 ns	95 ns	62 ns
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	1.95V @ 15V, 10A	2.1V @ 15V, 15A	1.91V @ 15V, 10A
Тип ИGBT	Trench Field Stop	-	Trench
Зарядная мощность	57nC	80nC	21nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)	40A	60A	40A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C	19.5ns/103ns	70ns/190ns	27ns/79ns
Переключаемый энергопотребление	83μJ (on), 140μJ (off)	550μJ (on), 220μJ (off)	29μJ (on), 200μJ (off)
Высота	16.4mm	15.87mm	9.02mm
Длина	10.4mm	10.16mm	10.66mm
Ширина	4.6mm	4.7mm	4.82mm
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	RoHS Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	Lead Free
Опубликовано	-	2007	2006
Безоловая кодировка	-	yes	-
REACH SVHC	-	No SVHC	No SVHC
Материал элемента транзистора	-	-	SILICON
Количество элементов	-	-	1
Время отключения	-	-	79 ns
Количество выводов	-	-	3
Завершение	-	-	Through Hole
Распад мощности	-	-	101W
Сокетная связка	-	-	COLLECTOR
Время задержки включения	-	-	27 ns
Применение транзистора	-	-	POWER CONTROL
Время подъема	-	-	15ns
Полярность/Тип канала	-	-	N-CHANNEL
Код JEDEC-95	-	-	TO-220AB
Время включения	-	-	43 ns
Время выключения (toff)	-	-	131 ns
Максимальное напряжение на переходе ГЭ	-	-	6.5V
Корпусировка на излучение	-	-	No

Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
IRGB4064DPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-220-3	IGBT 600V 20A 101W TO220AB	Для сравнения
STGP10H60DF	STMicroelectronics	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-220-3	IGBT 600V 20A 115W TO220	Для сравнения
STGP10NC60H	STMicroelectronics	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-220-3	IGBT 600V 20A 60W TO220	Для сравнения
NGTB15N60R2FG	ON Semiconductor	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-220-3 Full Pack	ON SEMICONDUCTOR NGTB15N60R2FG IGBT Single Transistor, 24 A, 1.85 V, 54 W, 600 V, TO-220F, 3 Pins	Для сравнения