Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
STGF10H60DF Альтернативные части: NGTB15N60R2FG
STGF10H60DFSTMicroelectronics
В наличии: 1018
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
149.674286 ₽
149.73 ₽
10
141.202143 ₽
1,412.09 ₽
100
133.209533 ₽
13,321.02 ₽
500
125.669409 ₽
62,834.75 ₽
1000
118.556044 ₽
118,556.04 ₽
Цена за единицу: 149.674286 ₽
Итоговая цена: 149.73 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | IGBT 600V 20A 30W TO220FP | ON SEMICONDUCTOR NGTB15N60R2FG IGBT Single Transistor, 24 A, 1.85 V, 54 W, 600 V, TO-220F, 3 Pins |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 7 months ago) | ACTIVE (Last Updated: 3 days ago) |
Срок поставки от производителя | 20 Weeks | 4 Weeks |
Монтаж | Through Hole | Through Hole |
Вид крепления | Through Hole | Through Hole |
Корпус / Кейс | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack |
Количество контактов | 3 | 3 |
Вес | 2.299997g | - |
Диэлектрический пробой напряжение | 600V | 600V |
Условия испытания | 400V, 10A, 10 Ω, 15V | 300V, 15A, 30 Ω, 15V |
Рабочая температура | -55°C~175°C TJ | 175°C TJ |
Пакетирование | Tube | Tube |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Код ECCN | EAR99 | - |
Максимальная потеря мощности | 30W | 54W |
Температура пайки (пиковая) (°C) | NOT SPECIFIED | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | NOT SPECIFIED | - |
Основной номер части | STGF10 | - |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Входной тип | Standard | Standard |
Мощность - Макс | 30W | 54W |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 600V | 2.1V |
Максимальный ток сбора | 20A | 24A |
Время обратной рекомпенсации | 107 ns | 95 ns |
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | 1.95V @ 15V, 10A | 2.1V @ 15V, 15A |
Тип ИGBT | Trench Field Stop | - |
Зарядная мощность | 57nC | 80nC |
Ток-эmitter импульсированный (Icm) | 40A | 60A |
Тд (вкл/выкл) @ 25°C | 19.5ns/103ns | 70ns/190ns |
Переключаемый энергопотребление | 83μJ (on), 140μJ (off) | 550μJ (on), 220μJ (off) |
Высота | 16.4mm | 15.87mm |
Длина | 10.4mm | 10.16mm |
Ширина | 4.6mm | 4.7mm |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Опубликовано | - | 2007 |
Безоловая кодировка | - | yes |
REACH SVHC | - | No SVHC |
Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRGB4064DPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-220-3 | IGBT 600V 20A 101W TO220AB | Для сравнения |
 | STGP10H60DF | STMicroelectronics | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-220-3 | IGBT 600V 20A 115W TO220 | Для сравнения |
 | STGP10NC60H | STMicroelectronics | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-220-3 | IGBT 600V 20A 60W TO220 | Для сравнения |
 | NGTB15N60R2FG | ON Semiconductor | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-220-3 Full Pack | ON SEMICONDUCTOR NGTB15N60R2FG IGBT Single Transistor, 24 A, 1.85 V, 54 W, 600 V, TO-220F, 3 Pins | Для сравнения |