STGD3NB60SDT4 Альтернативные части: HGTD3N60C3S9A ,SGR6N60UFTM

STGD3NB60SDT4STMicroelectronics

В наличии: 1789

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
147.755385 ₽
147.80 ₽
10
139.391854 ₽
1,393.96 ₽
100
131.501813 ₽
13,150.14 ₽
500
124.058297 ₽
62,029.12 ₽
1000
117.036085 ₽
117,036.13 ₽

Цена за единицу: 147.755385 ₽

Итоговая цена: 147.80 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иSTGD3NB60SDT4	иHGTD3N60C3S9A	иSGR6N60UFTM
Производитель:	STMicroelectronics	ON Semiconductor	ON Semiconductor
Описание:	IGBT 600V 6A 48W DPAK	IGBT 600V 6A 33W TO252AA	IGBT 600V 6A 30W DPAK
Срок поставки от производителя	8 Weeks	-	-
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Количество контактов	3	3	3
Материал элемента транзистора	SILICON	-	-
Диэлектрический пробой напряжение	600V	600V	600V
Количество элементов	1	-	-
Условия испытания	480V, 3A, 1k Ω, 15V	480V, 3A, 82 Ω, 15V	300V, 3A, 80 Ω, 15V
Время отключения	1 μs	-	-
Рабочая температура	175°C TJ	-40°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Серия	PowerMESH™	-	-
Код JESD-609	e3	-	-
Состояние изделия	Active	Obsolete	Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	2	-	-
Код ECCN	EAR99	-	-
Конечная обработка контакта	Matte Tin (Sn) - annealed	-	-
Ток постоянного напряжения - номинальный	600V	600V	600V
Максимальная потеря мощности	48W	33W	30W
Форма вывода	GULL WING	-	-
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	-	-
Моментальный ток	3A	6A	3A
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	30	-	-
Основной номер части	STGD3	-	SG*6N60
Число контактов	3	-	-
Код JESD-30	R-PSSO-G2	-	-
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Распад мощности	48W	33W	30W
Входной тип	Standard	Standard	Standard
Время задержки включения	125 μs	-	-
Применение транзистора	POWER CONTROL	-	-
Время подъема	150μs	-	-
Полярность/Тип канала	N-CHANNEL	-	-
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	600V	600V	600V
Максимальный ток сбора	6A	6A	6A
Время обратной рекомпенсации	1.7μs	-	-
Максимальное напряжение разрушения	600V	-	-
Время включения	275 ns	-	-
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	1.5V @ 15V, 3A	2V @ 15V, 3A	2.6V @ 15V, 3A
Время выключения (toff)	4800 ns	-	-
Зарядная мощность	18nC	10.8nC	15nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)	25A	24A	25A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C	125μs/-	-	15ns/60ns
Переключаемый энергопотребление	1.15mJ (off)	85μJ (on), 245μJ (off)	57μJ (on), 25μJ (off)
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)	20V	-	-
Максимальное напряжение на переходе ГЭ	4.5V	-	-
Корпусировка на излучение	No	-	-
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	RoHS Compliant	RoHS Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	Lead Free
Вес	-	-	260.37mg

Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
IRGR3B60KD2TRLP	Infineon Technologies	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	IGBT 600V 7.8A 52W DPAK	Для сравнения
FGD3N60UNDF	ON Semiconductor	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	IGBT Transistors 600V, 3A Short Circuit Rated IGBT	Для сравнения
HGTD3N60C3S9A	ON Semiconductor	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	IGBT 600V 6A 33W TO252AA	Для сравнения
SGR6N60UFTM	ON Semiconductor	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	IGBT 600V 6A 30W DPAK	Для сравнения