Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
STGD3NB60SDT4 Альтернативные части: HGTD3N60C3S9A
STGD3NB60SDT4STMicroelectronics
В наличии: 1789
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
147.755385 ₽
147.80 ₽
10
139.391854 ₽
1,393.96 ₽
100
131.501813 ₽
13,150.14 ₽
500
124.058297 ₽
62,029.12 ₽
1000
117.036085 ₽
117,036.13 ₽
Цена за единицу: 147.755385 ₽
Итоговая цена: 147.80 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | IGBT 600V 6A 48W DPAK | IGBT 600V 6A 33W TO252AA |
Срок поставки от производителя | 8 Weeks | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Количество контактов | 3 | 3 |
Материал элемента транзистора | SILICON | - |
Диэлектрический пробой напряжение | 600V | 600V |
Количество элементов | 1 | - |
Условия испытания | 480V, 3A, 1k Ω, 15V | 480V, 3A, 82 Ω, 15V |
Время отключения | 1 μs | - |
Рабочая температура | 175°C TJ | -40°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Серия | PowerMESH™ | - |
Код JESD-609 | e3 | - |
Состояние изделия | Active | Obsolete |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 2 | - |
Код ECCN | EAR99 | - |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) - annealed | - |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 600V | 600V |
Максимальная потеря мощности | 48W | 33W |
Форма вывода | GULL WING | - |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | - |
Моментальный ток | 3A | 6A |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 30 | - |
Основной номер части | STGD3 | - |
Число контактов | 3 | - |
Код JESD-30 | R-PSSO-G2 | - |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Распад мощности | 48W | 33W |
Входной тип | Standard | Standard |
Время задержки включения | 125 μs | - |
Применение транзистора | POWER CONTROL | - |
Время подъема | 150μs | - |
Полярность/Тип канала | N-CHANNEL | - |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 600V | 600V |
Максимальный ток сбора | 6A | 6A |
Время обратной рекомпенсации | 1.7μs | - |
Максимальное напряжение разрушения | 600V | - |
Время включения | 275 ns | - |
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | 1.5V @ 15V, 3A | 2V @ 15V, 3A |
Время выключения (toff) | 4800 ns | - |
Зарядная мощность | 18nC | 10.8nC |
Ток-эmitter импульсированный (Icm) | 25A | 24A |
Тд (вкл/выкл) @ 25°C | 125μs/- | - |
Переключаемый энергопотребление | 1.15mJ (off) | 85μJ (on), 245μJ (off) |
Напряжение затвор-эмиттер (макс.) | 20V | - |
Максимальное напряжение на переходе ГЭ | 4.5V | - |
Корпусировка на излучение | No | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | RoHS Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRGR3B60KD2TRLP | Infineon Technologies | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | IGBT 600V 7.8A 52W DPAK | Для сравнения |
| FGD3N60UNDF | ON Semiconductor | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | IGBT Transistors 600V, 3A Short Circuit Rated IGBT | Для сравнения |
| HGTD3N60C3S9A | ON Semiconductor | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | IGBT 600V 6A 33W TO252AA | Для сравнения |
| SGR6N60UFTM | ON Semiconductor | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | IGBT 600V 6A 30W DPAK | Для сравнения |