STGD10NC60HT4 Альтернативные части: IRG4RC10SDTRPBF ,IRG4RC10SDPBF

STGD10NC60HT4STMicroelectronics

В наличии: 2395

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
147.755385 ₽
147.80 ₽
10
139.391854 ₽
1,393.96 ₽
100
131.501813 ₽
13,150.14 ₽
500
124.058297 ₽
62,029.12 ₽
1000
117.036085 ₽
117,036.13 ₽

Цена за единицу: 147.755385 ₽

Итоговая цена: 147.80 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иSTGD10NC60HT4	иIRG4RC10SDTRPBF	иIRG4RC10SDPBF
Производитель:	STMicroelectronics	Infineon Technologies	Infineon Technologies
Описание:	Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R	IGBT 600V 14A 38W DPAK	IGBT 600V 14A 38W DPAK
Состояние жизненного цикла	ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)	-	-
Срок поставки от производителя	8 Weeks	13 Weeks	8 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Количество контактов	3	3	3
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	600V	600V	600V
Количество элементов	1	1	1
Условия испытания	390V, 5A, 10 Ω, 15V	480V, 8A, 100 Ω, 15V	480V, 8A, 100 Ω, 15V
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tube
Серия	PowerMESH™	-	-
Код JESD-609	e3	e3	e3
Состояние изделия	Active	Obsolete	Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	2	2	2
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Matte Tin (Sn) - annealed	MATTE TIN OVER NICKEL	MATTE TIN OVER NICKEL
Максимальная потеря мощности	60W	38W	38W
Форма вывода	GULL WING	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260	260
Основной номер части	STGD10	IRG4RC10SDPBF	IRG4RC10SDPBF
Число контактов	3	-	-
Код JESD-30	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Входной тип	Standard	Standard	Standard
Мощность - Макс	60W	-	-
Применение транзистора	POWER CONTROL	POWER CONTROL	POWER CONTROL
Полярность/Тип канала	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	600V	1.8V	1.8V
Максимальный ток сбора	20A	14A	14A
Максимальное напряжение разрушения	600V	600V	-
Время включения	19 ns	106 ns	106 ns
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	2.5V @ 15V, 5A	1.8V @ 15V, 8A	1.8V @ 15V, 8A
Время выключения (toff)	247 ns	1780 ns	1780 ns
Зарядная мощность	19.2nC	15nC	15nC
Тд (вкл/выкл) @ 25°C	14.2ns/72ns	76ns/815ns	76ns/815ns
Переключаемый энергопотребление	31.8μJ (on), 95μJ (off)	310μJ (on), 3.28mJ (off)	310μJ (on), 3.28mJ (off)
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)	20V	20V	20V
Максимальное напряжение на переходе ГЭ	5.75V	6V	6V
Корпусировка на излучение	No	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	RoHS Compliant	RoHS Compliant
Без свинца	Lead Free	-	Lead Free
Вес	-	350.003213mg	-
Опубликовано	-	2004	2004
Завершение	-	SMD/SMT	SMD/SMT
Дополнительная Характеристика	-	LOW CONDUCTION LOSS	LOW CONDUCTION LOSS
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	-	30	30
Распад мощности	-	38W	38W
Сокетная связка	-	COLLECTOR	COLLECTOR
Время подъема	-	32ns	31ns
Время обратной рекомпенсации	-	28 ns	28 ns
Код JEDEC-95	-	TO-252AA	TO-252AA
Ток-эmitter импульсированный (Icm)	-	18A	18A
Время падения максимальное (tf)	-	1080ns	1080ns
Высота	-	1.2446mm	1.2446mm
Длина	-	6.7056mm	6.7056mm
Ширина	-	6.223mm	6.22mm
REACH SVHC	-	No SVHC	No SVHC
Ток постоянного напряжения - номинальный	-	-	600V
Моментальный ток	-	-	14A

Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
IKD10N60RFATMA1	Infineon Technologies	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252	Для сравнения
STGD7NC60HT4	STMicroelectronics	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	N CH IGBT, PowerMESH, 600V, 25A, DPAK - More Details	Для сравнения
IRG4RC10SDTRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	IGBT 600V 14A 38W DPAK	Для сравнения
IRG4RC10SDPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	IGBT 600V 14A 38W DPAK	Для сравнения