STGD10NC60HT4 Альтернативные части: STGD7NC60HT4

STGD10NC60HT4STMicroelectronics

В наличии: 2395

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
147.755385 ₽
147.80 ₽
10
139.391854 ₽
1,393.96 ₽
100
131.501813 ₽
13,150.14 ₽
500
124.058297 ₽
62,029.12 ₽
1000
117.036085 ₽
117,036.13 ₽

Цена за единицу: 147.755385 ₽

Итоговая цена: 147.80 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иSTGD10NC60HT4	иSTGD7NC60HT4
Производитель:	STMicroelectronics	STMicroelectronics
Описание:	Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R	N CH IGBT, PowerMESH, 600V, 25A, DPAK - More Details
Состояние жизненного цикла	ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)	ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
Срок поставки от производителя	8 Weeks	8 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Количество контактов	3	3
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	600V	600V
Количество элементов	1	1
Условия испытания	390V, 5A, 10 Ω, 15V	390V, 7A, 10 Ω, 15V
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Серия	PowerMESH™	PowerMESH™
Код JESD-609	e3	e3
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	2	2
Код ECCN	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Matte Tin (Sn) - annealed	Matte Tin (Sn) - annealed
Максимальная потеря мощности	60W	70W
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260
Основной номер части	STGD10	STGD7
Число контактов	3	3
Код JESD-30	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2
Конфигурация элемента	Single	Single
Входной тип	Standard	Standard
Мощность - Макс	60W	-
Применение транзистора	POWER CONTROL	POWER CONTROL
Полярность/Тип канала	N-CHANNEL	N-CHANNEL
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	600V	600V
Максимальный ток сбора	20A	25A
Максимальное напряжение разрушения	600V	600V
Время включения	19 ns	25.5 ns
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	2.5V @ 15V, 5A	2.5V @ 15V, 7A
Время выключения (toff)	247 ns	221 ns
Зарядная мощность	19.2nC	35nC
Тд (вкл/выкл) @ 25°C	14.2ns/72ns	18.5ns/72ns
Переключаемый энергопотребление	31.8μJ (on), 95μJ (off)	95μJ (on), 115μJ (off)
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)	20V	20V
Максимальное напряжение на переходе ГЭ	5.75V	5.75V
Корпусировка на излучение	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free
Вес	-	3.949996g
Время отключения	-	116 ns
Ток постоянного напряжения - номинальный	-	600V
Моментальный ток	-	7A
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	-	30
Распад мощности	-	70W
Время задержки включения	-	18.5 ns
Время подъема	-	8.5ns
Код JEDEC-95	-	TO-252AA
Прямоходящий ток коллектора	-	14A
Ток-эmitter импульсированный (Icm)	-	50A
Высота	-	2.4mm
Длина	-	6.6mm
Ширина	-	6.2mm

Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
IKD10N60RFATMA1	Infineon Technologies	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252	Для сравнения
STGD7NC60HT4	STMicroelectronics	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	N CH IGBT, PowerMESH, 600V, 25A, DPAK - More Details	Для сравнения
IRG4RC10SDTRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	IGBT 600V 14A 38W DPAK	Для сравнения
IRG4RC10SDPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	IGBT 600V 14A 38W DPAK	Для сравнения