Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
STGD10NC60HT4 Альтернативные части: IKD10N60RFATMA1 ,STGD7NC60HT4
STGD10NC60HT4STMicroelectronics
В наличии: 2395
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
147.755385 ₽
147.80 ₽
10
139.391854 ₽
1,393.96 ₽
100
131.501813 ₽
13,150.14 ₽
500
124.058297 ₽
62,029.12 ₽
1000
117.036085 ₽
117,036.13 ₽
Цена за единицу: 147.755385 ₽
Итоговая цена: 147.80 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252 | N CH IGBT, PowerMESH, 600V, 25A, DPAK - More Details |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 7 months ago) | - | ACTIVE (Last Updated: 8 months ago) |
Срок поставки от производителя | 8 Weeks | 16 Weeks | 8 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Количество контактов | 3 | - | 3 |
Материал элемента транзистора | SILICON | - | SILICON |
Диэлектрический пробой напряжение | 600V | 600V | 600V |
Количество элементов | 1 | - | 1 |
Условия испытания | 390V, 5A, 10 Ω, 15V | 400V, 10A, 26 Ω, 15V | 390V, 7A, 10 Ω, 15V |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -40°C~175°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) |
Серия | PowerMESH™ | TrenchStop® | PowerMESH™ |
Код JESD-609 | e3 | - | e3 |
Состояние изделия | Active | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 2 | - | 2 |
Код ECCN | EAR99 | - | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) - annealed | - | Matte Tin (Sn) - annealed |
Максимальная потеря мощности | 60W | 150W | 70W |
Форма вывода | GULL WING | - | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | NOT SPECIFIED | 260 |
Основной номер части | STGD10 | *KD10N60 | STGD7 |
Число контактов | 3 | - | 3 |
Код JESD-30 | R-PSSO-G2 | - | R-PSSO-G2 |
Конфигурация элемента | Single | Single | Single |
Входной тип | Standard | Standard | Standard |
Мощность - Макс | 60W | 150W | - |
Применение транзистора | POWER CONTROL | - | POWER CONTROL |
Полярность/Тип канала | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 600V | 600V | 600V |
Максимальный ток сбора | 20A | 20A | 25A |
Максимальное напряжение разрушения | 600V | 600V | 600V |
Время включения | 19 ns | - | 25.5 ns |
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 5A | 2.5V @ 15V, 10A | 2.5V @ 15V, 7A |
Время выключения (toff) | 247 ns | - | 221 ns |
Зарядная мощность | 19.2nC | 64nC | 35nC |
Тд (вкл/выкл) @ 25°C | 14.2ns/72ns | 12ns/168ns | 18.5ns/72ns |
Переключаемый энергопотребление | 31.8μJ (on), 95μJ (off) | 190μJ (on), 160μJ (off) | 95μJ (on), 115μJ (off) |
Напряжение затвор-эмиттер (макс.) | 20V | 20V | 20V |
Максимальное напряжение на переходе ГЭ | 5.75V | 5.7V | 5.75V |
Корпусировка на излучение | No | - | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Contains Lead | Lead Free |
Опубликовано | - | 2008 | - |
Безоловая кодировка | - | no | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | NOT SPECIFIED | 30 |
Без галогенов | - | Halogen Free | - |
Время обратной рекомпенсации | - | 72 ns | - |
Тип ИGBT | - | Trench Field Stop | - |
Ток-эmitter импульсированный (Icm) | - | 30A | 50A |
Вес | - | - | 3.949996g |
Время отключения | - | - | 116 ns |
Ток постоянного напряжения - номинальный | - | - | 600V |
Моментальный ток | - | - | 7A |
Распад мощности | - | - | 70W |
Время задержки включения | - | - | 18.5 ns |
Время подъема | - | - | 8.5ns |
Код JEDEC-95 | - | - | TO-252AA |
Прямоходящий ток коллектора | - | - | 14A |
Высота | - | - | 2.4mm |
Длина | - | - | 6.6mm |
Ширина | - | - | 6.2mm |
Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IKD10N60RFATMA1 | Infineon Technologies | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252 | Для сравнения |
 | STGD7NC60HT4 | STMicroelectronics | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | N CH IGBT, PowerMESH, 600V, 25A, DPAK - More Details | Для сравнения |
 | IRG4RC10SDTRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | IGBT 600V 14A 38W DPAK | Для сравнения |
| IRG4RC10SDPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | IGBT 600V 14A 38W DPAK | Для сравнения |