STGB7NC60HDT4STMicroelectronics
В наличии: 1000
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
347.527473 ₽
347.53 ₽
10
327.856113 ₽
3,278.57 ₽
100
309.298214 ₽
30,929.81 ₽
500
291.790769 ₽
145,895.33 ₽
1000
275.274313 ₽
275,274.31 ₽
Цена за единицу: 347.527473 ₽
Итоговая цена: 347.53 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | IGBT 600V 25A 80W D2PAK | IGBT 600V 25A 80W D2PAK |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 7 months ago) | - |
Срок поставки от производителя | 8 Weeks | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Количество контактов | 3 | 3 |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON |
Диэлектрический пробой напряжение | 600V | 600V |
Количество элементов | 1 | 1 |
Условия испытания | 390V, 7A, 10 Ω, 15V | 390V, 7A, 10 Ω, 15V |
Время отключения | 72 ns | 116 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Серия | PowerMESH™ | PowerMESH™ |
Код JESD-609 | e3 | e3 |
Состояние изделия | Active | Obsolete |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 2 | 2 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) - annealed | Matte Tin (Sn) |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 600V | 600V |
Максимальная потеря мощности | 80W | 80W |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 245 | 245 |
Моментальный ток | 14A | 14A |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 30 | 30 |
Основной номер части | STGB7 | STGB14 |
Число контактов | 4 | 3 |
Код JESD-30 | R-PSSO-G2 | R-PDSO-G2 |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Распад мощности | 25W | 80W |
Входной тип | Standard | Standard |
Время задержки включения | 18.5 ns | 22.5 ns |
Мощность - Макс | 80W | - |
Применение транзистора | POWER CONTROL | POWER CONTROL |
Время подъема | 8.5ns | 8.5ns |
Полярность/Тип канала | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 600V | 600V |
Максимальный ток сбора | 25A | 25A |
Время обратной рекомпенсации | 37 ns | - |
Максимальное напряжение разрушения | 600V | 600V |
Время включения | 25.5 ns | 31.5 ns |
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 7A | 2.5V @ 15V, 7A |
Время выключения (toff) | 221 ns | 340 ns |
Зарядная мощность | 35nC | 34.4nC |
Ток-эmitter импульсированный (Icm) | 50A | - |
Тд (вкл/выкл) @ 25°C | 18.5ns/72ns | 22.5ns/116ns |
Переключаемый энергопотребление | 95μJ (on), 115μJ (off) | 82μJ (on), 155μJ (off) |
Напряжение затвор-эмиттер (макс.) | 20V | 20V |
Максимальное напряжение на переходе ГЭ | 5.75V | 6.5V |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Завершение | - | SMD/SMT |
Положение терминала | - | DUAL |
Напряжение стока-исток (Vdss) | - | 600V |
Непрерывный ток стока (ID) | - | 25A |
REACH SVHC | - | No SVHC |