STGB7NC60HDT4 Альтернативные части: STGB10NC60KDT4

STGB7NC60HDT4STMicroelectronics

В наличии: 1000

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
347.527473 ₽
347.53 ₽
10
327.856113 ₽
3,278.57 ₽
100
309.298214 ₽
30,929.81 ₽
500
291.790769 ₽
145,895.33 ₽
1000
275.274313 ₽
275,274.31 ₽

Цена за единицу: 347.527473 ₽

Итоговая цена: 347.53 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иSTGB7NC60HDT4	иSTGB10NC60KDT4
Производитель:	STMicroelectronics	STMicroelectronics
Описание:	IGBT 600V 25A 80W D2PAK	IGBT 600V 20A 65W D2PAK
Состояние жизненного цикла	ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)	ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
Срок поставки от производителя	8 Weeks	8 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Количество контактов	3	3
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	600V	600V
Количество элементов	1	1
Условия испытания	390V, 7A, 10 Ω, 15V	390V, 5A, 10 Ω, 15V
Время отключения	72 ns	72 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Серия	PowerMESH™	PowerMESH™
Код JESD-609	e3	e3
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	2	2
Код ECCN	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Matte Tin (Sn) - annealed	-
Ток постоянного напряжения - номинальный	600V	600V
Максимальная потеря мощности	80W	65W
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	245	245
Моментальный ток	14A	10A
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	30	30
Основной номер части	STGB7	STGB10
Число контактов	4	3
Код JESD-30	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2
Конфигурация элемента	Single	Single
Распад мощности	25W	60W
Входной тип	Standard	Standard
Время задержки включения	18.5 ns	17 ns
Мощность - Макс	80W	65W
Применение транзистора	POWER CONTROL	POWER CONTROL
Время подъема	8.5ns	6ns
Полярность/Тип канала	N-CHANNEL	N-CHANNEL
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	600V	600V
Максимальный ток сбора	25A	20A
Время обратной рекомпенсации	37 ns	22 ns
Максимальное напряжение разрушения	600V	600V
Время включения	25.5 ns	23 ns
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	2.5V @ 15V, 7A	2.5V @ 15V, 5A
Время выключения (toff)	221 ns	242 ns
Зарядная мощность	35nC	19nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)	50A	30A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C	18.5ns/72ns	17ns/72ns
Переключаемый энергопотребление	95μJ (on), 115μJ (off)	55μJ (on), 85μJ (off)
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)	20V	20V
Максимальное напряжение на переходе ГЭ	5.75V	7V
Корпусировка на излучение	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free
Покрытие контактов	-	Tin
Вес	-	2.240009g
Завершение	-	SMD/SMT
Сокетная связка	-	ISOLATED
Напряжение стока-исток (Vdss)	-	600V
Непрерывный ток стока (ID)	-	10A
Высота	-	4.6mm
Длина	-	10.4mm
Ширина	-	9.35mm
REACH SVHC	-	No SVHC

Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
STGB14NC60KT4	STMicroelectronics	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	IGBT 600V 25A 80W D2PAK	Для сравнения
STGB14NC60KDT4	STMicroelectronics	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	IGBT 600V 25A 80W D2PAK	Для сравнения
STGB10NC60KDT4	STMicroelectronics	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	IGBT 600V 20A 65W D2PAK	Для сравнения