Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
STB80N4F6AG Альтернативные части: IPB80N04S404ATMA1 ,FDB8896-F085
STB80N4F6AGSTMicroelectronics
В наличии: 940
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
172.701099 ₽
172.66 ₽
10
162.925549 ₽
1,629.26 ₽
100
153.703407 ₽
15,370.33 ₽
500
145.003201 ₽
72,501.65 ₽
1000
136.795481 ₽
136,795.47 ₽
Цена за единицу: 172.701099 ₽
Итоговая цена: 172.66 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK | MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2 | Trans MOSFET N-CH 30V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 8 months ago) | - | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago) |
Срок поставки от производителя | 20 Weeks | 16 Weeks | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 80A Tc | 80A Tc | 19A Ta 93A Tc |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 10V | 10V | 4.5V 10V |
Максимальная мощность рассеяния | 70W Tc | 71W Tc | 80W Tc |
Рабочая температура | -55°C~175°C TJ | -55°C~175°C TJ | -55°C~175°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Серия | Automotive, AEC-Q101, STripFET™ | OptiMOS™ | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® |
Состояние изделия | Active | Active | Obsolete |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | - |
Температура пайки (пиковая) (°C) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | 30 |
Основной номер части | STB80N | - | - |
Тип ТРВ | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 6m Ω @ 40A, 10V | 4.2m Ω @ 80A, 10V | 5.7m Ω @ 35A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 4V @ 250μA | 4V @ 35μA | 2.5V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 2150pF @ 25V | 3440pF @ 25V | 2525pF @ 15V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 36nC @ 10V | 43nC @ 10V | 67nC @ 10V |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 40V | - | - |
Угол настройки (макс.) | ±20V | ±20V | ±20V |
Непрерывный ток стока (ID) | 80A | 80A | 93A |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | RoHS Compliant |
Количество контактов | - | 3 | 3 |
Материал элемента транзистора | - | SILICON | SILICON |
Количество элементов | - | 1 | 1 |
Время отключения | - | 9 ns | 58 ns |
Опубликовано | - | 2010 | - |
Код JESD-609 | - | e3 | e3 |
Количество выводов | - | 2 | 2 |
Конечная обработка контакта | - | Tin (Sn) | Tin (Sn) |
Положение терминала | - | SINGLE | - |
Форма вывода | - | GULL WING | GULL WING |
Код соответствия REACH | - | not_compliant | - |
Код JESD-30 | - | R-PSSO-G2 | R-PSSO-G2 |
Конфигурация | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - |
Режим работы | - | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Время задержки включения | - | 10 ns | 9 ns |
Без галогенов | - | Halogen Free | - |
Время подъема | - | 12ns | 102ns |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | - | 20V | 20V |
Максимальное напряжение питания с двумя источниками | - | 40V | - |
Сопротивление открытого канала-макс | - | 0.0042Ohm | 0.0068Ohm |
Рейтинг энергии лавины (Eas) | - | 100 mJ | 74 mJ |
Без свинца | - | Contains Lead | - |
Вес | - | - | 1.31247g |
Безоловая кодировка | - | - | yes |
Конфигурация элемента | - | - | Single |
Распад мощности | - | - | 80W |
Сокетная связка | - | - | DRAIN |
Применение транзистора | - | - | SWITCHING |
Время падения (тип) | - | - | 44 ns |
Максимальный сливовой ток (ID) | - | - | 19A |
Напряжение пробоя стока к истоку | - | - | 30V |
Корпусировка на излучение | - | - | No |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IPB70N04S406ATMA1 | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 40V 70A TO263-3-2 | Для сравнения |
 | FDB8896 | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 30V 93A TO-263AB | Для сравнения |
| IPB80N04S404ATMA1 | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2 | Для сравнения |
| FDB8896-F085 | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 30V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Для сравнения |