STB80N4F6AG Альтернативные части: FDB8896

STB80N4F6AGSTMicroelectronics

В наличии: 940

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
172.701099 ₽
172.66 ₽
10
162.925549 ₽
1,629.26 ₽
100
153.703407 ₽
15,370.33 ₽
500
145.003201 ₽
72,501.65 ₽
1000
136.795481 ₽
136,795.47 ₽

Цена за единицу: 172.701099 ₽

Итоговая цена: 172.66 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иSTB80N4F6AG	иFDB8896
Производитель:	STMicroelectronics	ON Semiconductor
Описание:	MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK	MOSFET N-CH 30V 93A TO-263AB
Состояние жизненного цикла	ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)	ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Срок поставки от производителя	20 Weeks	10 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	80A Tc	19A Ta 93A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	10V	4.5V 10V
Максимальная мощность рассеяния	70W Tc	80W Tc
Рабочая температура	-55°C~175°C TJ	-55°C~175°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Серия	Automotive, AEC-Q101, STripFET™	PowerTrench®
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Код ECCN	EAR99	EAR99
Температура пайки (пиковая) (°C)	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
Основной номер части	STB80N	-
Тип ТРВ	N-Channel	N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	6m Ω @ 40A, 10V	5.7m Ω @ 35A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	4V @ 250μA	2.5V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	2150pF @ 25V	2525pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	36nC @ 10V	67nC @ 10V
Напряжение стока-исток (Vdss)	40V	-
Угол настройки (макс.)	±20V	±20V
Непрерывный ток стока (ID)	80A	93A
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Покрытие контактов	-	Tin
Количество контактов	-	3
Вес	-	1.31247g
Материал элемента транзистора	-	SILICON
Количество элементов	-	1
Время отключения	-	58 ns
Опубликовано	-	2004
Код JESD-609	-	e3
Безоловая кодировка	-	yes
Количество выводов	-	2
Сопротивление	-	5.7MOhm
Ток постоянного напряжения - номинальный	-	30V
Форма вывода	-	GULL WING
Код соответствия REACH	-	not_compliant
Моментальный ток	-	93A
Код JESD-30	-	R-PSSO-G2
Квалификационный Статус	-	Not Qualified
Конфигурация элемента	-	Single
Режим работы	-	ENHANCEMENT MODE
Распад мощности	-	80W
Сокетная связка	-	DRAIN
Время задержки включения	-	9 ns
Применение транзистора	-	SWITCHING
Время подъема	-	102ns
Время падения (тип)	-	44 ns
Пороговое напряжение	-	2.5V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	-	20V
Максимальный сливовой ток (ID)	-	80A
Напряжение пробоя стока к истоку	-	30V
Рейтинг энергии лавины (Eas)	-	74 mJ
Высота	-	1mm
Длина	-	3mm
Ширина	-	1.7mm
REACH SVHC	-	No SVHC
Без свинца	-	Lead Free

Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
IPB70N04S406ATMA1	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	MOSFET N-CH 40V 70A TO263-3-2	Для сравнения
FDB8896	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	MOSFET N-CH 30V 93A TO-263AB	Для сравнения
IPB80N04S404ATMA1	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2	Для сравнения
FDB8896-F085	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Trans MOSFET N-CH 30V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R	Для сравнения