SS9018GBU Альтернативные части: SS9018FBU ,PN3563

SS9018GBUON Semiconductor

В наличии: 80000

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
5.478654 ₽
5.49 ₽
500
4.028448 ₽
2,014.29 ₽
1000
3.357019 ₽
3,357.01 ₽
2000
3.079835 ₽
6,159.62 ₽
5000
2.878352 ₽
14,391.76 ₽
10000
2.677541 ₽
26,775.41 ₽
15000
2.589464 ₽
38,842.03 ₽
50000
2.546195 ₽
127,309.75 ₽

Цена за единицу: 5.478654 ₽

Итоговая цена: 5.49 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иSS9018GBU	иSS9018FBU	иPN3563
Производитель:	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor
Описание:	TRANSISTOR RF NPN 30V 50MA TO-92	TRANSISTOR RF NPN 30V 50MA TO-92	RF TRANS NPN 15V 1.5GHZ TO92-3
Состояние жизненного цикла	LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)	LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)	-
Срок поставки от производителя	6 Weeks	2 Weeks	-
Монтаж	Through Hole	Through Hole	Through Hole
Вид крепления	Through Hole	Through Hole	Through Hole
Корпус / Кейс	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Количество контактов	3	3	3
Вес	179mg	179mg	201mg
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	-
Диэлектрический пробой напряжение	15V	15V	15V
Количество элементов	1	1	1
Минимальная частота работы в герцах	28	28	20
Рабочая температура	150°C TJ	150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Bulk	Bulk	Bulk
Опубликовано	2002	2007	2000
Код JESD-609	e3	e3	-
Безоловая кодировка	yes	yes	-
Состояние изделия	Obsolete	Obsolete	Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3	-
Код ECCN	EAR99	EAR99	-
Конечная обработка контакта	Tin (Sn)	Tin (Sn)	-
Ток постоянного напряжения - номинальный	30V	30V	15V
Максимальная потеря мощности	400mW	400mW	350mW
Положение терминала	BOTTOM	BOTTOM	-
Моментальный ток	50mA	50mA	50mA
Частота	1.1GHz	1.1GHz	1.5GHz
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Распад мощности	400mW	400mW	350mW
Применение транзистора	AMPLIFIER	AMPLIFIER	-
Напряжение стока-исток (Vdss)	30V	-	-
Полярность/Тип канала	NPN	NPN	-
Тип транзистора	NPN	NPN	NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	15V	15V	15V
Максимальный ток сбора	50mA	50mA	50mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	72 @ 1mA 5V	54 @ 1mA 5V	20 @ 8mA 10V
Частота перехода	1100MHz	1100MHz	-
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	30V	30V	30V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5V	5V	2V
Прямоходящий ток коллектора	50mA	50mA	50mA
Корпусировка на излучение	No	No	-
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	RoHS Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	Lead Free
Поставщик упаковки устройства	-	-	TO-92-3
Максимальный коллекторный ток (Ic)	-	-	50mA
Завершение	-	-	Through Hole
Максимальная рабочая температура	-	-	150°C
Минимальная температура работы	-	-	-55°C
Основной номер части	-	-	2N3563
Направленность	-	-	NPN
Мощность - Макс	-	-	350mW
Продуктивность полосы частот	-	-	1.5 GHz
Увеличение	-	-	14dB ~ 26dB
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)	-	-	15V
Максимальная частота	-	-	1.5GHz
Частота - Переход	-	-	1.5GHz
REACH SVHC	-	-	No SVHC

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - РЧ Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
PN3563	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - РЧ	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	RF TRANS NPN 15V 1.5GHZ TO92-3	Для сравнения
SS9018HBU	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - РЧ	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	RF Bipolar Transistors NPN/30V/50mA	Для сравнения
SS9018FBU	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - РЧ	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	TRANSISTOR RF NPN 30V 50MA TO-92	Для сравнения