Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
SS9018GBU Альтернативные части: SS9018HBU
SS9018GBUON Semiconductor
В наличии: 80000
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
5.478654 ₽
5.49 ₽
500
4.028448 ₽
2,014.29 ₽
1000
3.357019 ₽
3,357.01 ₽
2000
3.079835 ₽
6,159.62 ₽
5000
2.878352 ₽
14,391.76 ₽
10000
2.677541 ₽
26,775.41 ₽
15000
2.589464 ₽
38,842.03 ₽
50000
2.546195 ₽
127,309.75 ₽
Цена за единицу: 5.478654 ₽
Итоговая цена: 5.49 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | TRANSISTOR RF NPN 30V 50MA TO-92 | RF Bipolar Transistors NPN/30V/50mA |
Состояние жизненного цикла | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago) | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 10 hours ago) |
Срок поставки от производителя | 6 Weeks | 7 Weeks |
Монтаж | Through Hole | Through Hole |
Вид крепления | Through Hole | Through Hole |
Корпус / Кейс | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Количество контактов | 3 | 3 |
Вес | 179mg | 179mg |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON |
Диэлектрический пробой напряжение | 15V | 15V |
Количество элементов | 1 | 1 |
Минимальная частота работы в герцах | 28 | 28 |
Рабочая температура | 150°C TJ | 150°C TJ |
Пакетирование | Bulk | Bulk |
Опубликовано | 2002 | 2002 |
Код JESD-609 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes |
Состояние изделия | Obsolete | Obsolete |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Tin (Sn) | Tin (Sn) |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 30V | 30V |
Максимальная потеря мощности | 400mW | 400mW |
Положение терминала | BOTTOM | BOTTOM |
Моментальный ток | 50mA | 50mA |
Частота | 1.1GHz | 1.1GHz |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Распад мощности | 400mW | 400mW |
Применение транзистора | AMPLIFIER | AMPLIFIER |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 30V | - |
Полярность/Тип канала | NPN | NPN |
Тип транзистора | NPN | NPN |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 15V | 15V |
Максимальный ток сбора | 50mA | 50mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 72 @ 1mA 5V | 97 @ 1mA 5V |
Частота перехода | 1100MHz | 1100MHz |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 30V | 30V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5V | 5V |
Прямоходящий ток коллектора | 50mA | 50mA |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Продуктивность полосы частот | - | 1.1 GHz |
Высота | - | 4.7mm |
Длина | - | 4.7mm |
Ширина | - | 3.93mm |
REACH SVHC | - | No SVHC |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - РЧ Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | PN3563 | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - РЧ | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | RF TRANS NPN 15V 1.5GHZ TO92-3 | Для сравнения |
| SS9018HBU | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - РЧ | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | RF Bipolar Transistors NPN/30V/50mA | Для сравнения |
| SS9018FBU | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - РЧ | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | TRANSISTOR RF NPN 30V 50MA TO-92 | Для сравнения |