SS9018GBU Альтернативные части: PN3563 ,SS9018HBU

SS9018GBUON Semiconductor

  • SS9018GBUON Semiconductor
  • PN3563ON Semiconductor
  • SS9018HBUON Semiconductor

В наличии: 80000

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    5.478654 ₽

    5.49 ₽

  • 500

    4.028448 ₽

    2,014.29 ₽

  • 1000

    3.357019 ₽

    3,357.01 ₽

  • 2000

    3.079835 ₽

    6,159.62 ₽

  • 5000

    2.878352 ₽

    14,391.76 ₽

  • 10000

    2.677541 ₽

    26,775.41 ₽

  • 15000

    2.589464 ₽

    38,842.03 ₽

  • 50000

    2.546195 ₽

    127,309.75 ₽

Цена за единицу: 5.478654 ₽

Итоговая цена: 5.49 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANSISTOR RF NPN 30V 50MA TO-92
RF TRANS NPN 15V 1.5GHZ TO92-3
RF Bipolar Transistors NPN/30V/50mA
Состояние жизненного цикла
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
-
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 10 hours ago)
Срок поставки от производителя
6 Weeks
-
7 Weeks
Монтаж
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Вид крепления
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Корпус / Кейс
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Количество контактов
3
3
3
Вес
179mg
201mg
179mg
Материал элемента транзистора
SILICON
-
SILICON
Диэлектрический пробой напряжение
15V
15V
15V
Количество элементов
1
1
1
Минимальная частота работы в герцах
28
20
28
Рабочая температура
150°C TJ
-55°C~150°C TJ
150°C TJ
Пакетирование
Bulk
Bulk
Bulk
Опубликовано
2002
2000
2002
Код JESD-609
e3
-
e3
Безоловая кодировка
yes
-
yes
Состояние изделия
Obsolete
Obsolete
Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
-
3
Код ECCN
EAR99
-
EAR99
Конечная обработка контакта
Tin (Sn)
-
Tin (Sn)
Ток постоянного напряжения - номинальный
30V
15V
30V
Максимальная потеря мощности
400mW
350mW
400mW
Положение терминала
BOTTOM
-
BOTTOM
Моментальный ток
50mA
50mA
50mA
Частота
1.1GHz
1.5GHz
1.1GHz
Конфигурация элемента
Single
Single
Single
Распад мощности
400mW
350mW
400mW
Применение транзистора
AMPLIFIER
-
AMPLIFIER
Напряжение стока-исток (Vdss)
30V
-
-
Полярность/Тип канала
NPN
-
NPN
Тип транзистора
NPN
NPN
NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
15V
15V
15V
Максимальный ток сбора
50mA
50mA
50mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
72 @ 1mA 5V
20 @ 8mA 10V
97 @ 1mA 5V
Частота перехода
1100MHz
-
1100MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
30V
30V
30V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5V
2V
5V
Прямоходящий ток коллектора
50mA
50mA
50mA
Корпусировка на излучение
No
-
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
RoHS Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Lead Free
Поставщик упаковки устройства
-
TO-92-3
-
Максимальный коллекторный ток (Ic)
-
50mA
-
Завершение
-
Through Hole
-
Максимальная рабочая температура
-
150°C
-
Минимальная температура работы
-
-55°C
-
Основной номер части
-
2N3563
-
Направленность
-
NPN
-
Мощность - Макс
-
350mW
-
Продуктивность полосы частот
-
1.5 GHz
1.1 GHz
Увеличение
-
14dB ~ 26dB
-
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)
-
15V
-
Максимальная частота
-
1.5GHz
-
Частота - Переход
-
1.5GHz
-
REACH SVHC
-
No SVHC
No SVHC
Высота
-
-
4.7mm
Длина
-
-
4.7mm
Ширина
-
-
3.93mm