SMUN2232T1G Альтернативные части: MSD601-ST1 ,MUN2233T1

SMUN2232T1GON Semiconductor

В наличии: 11665

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
19.189011 ₽
19.23 ₽
10
18.102816 ₽
181.04 ₽
100
17.078118 ₽
1,707.83 ₽
500
16.111484 ₽
8,055.77 ₽
1000
15.199519 ₽
15,199.45 ₽

Цена за единицу: 19.189011 ₽

Итоговая цена: 19.23 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иSMUN2232T1G	иMSD601-ST1	иMUN2233T1
Производитель:	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor
Описание:	Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SC-59 T/R	TRANS NPN 50V 0.1A SC59	TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
Состояние жизненного цикла	ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)	LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)	-
Срок поставки от производителя	2 Weeks	-	-
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Поверхностный монтаж	YES	-	-
Количество контактов	3	3	-
Диэлектрический пробой напряжение	50V	50V	50V
Количество элементов	1	1	1
Минимальная частота работы в герцах	15	290	80
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2013	2006	2004
Код JESD-609	e3	e0	e0
Безоловая кодировка	yes	no	-
Состояние изделия	Active	Obsolete	Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3	3
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Tin (Sn)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
Максимальная рабочая температура	150°C	-	150°C
Минимальная температура работы	-55°C	-	-55°C
Дополнительная Характеристика	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1	-	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10
Максимальная потеря мощности	230mW	200mW	338mW
Положение терминала	DUAL	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING	GULL WING
Основной номер части	MUN2232	MSD601	MUN2233
Число контактов	3	3	3
Направленность	NPN	-	NPN
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
Без галогенов	Halogen Free	-	-
Тип транзистора	NPN - Pre-Biased	NPN	NPN - Pre-Biased
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	250mV	500mV	250mV
Максимальный ток сбора	100mA	100mA	100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	15 @ 5mA 10V	290 @ 2mA 10V	80 @ 5mA 10V
Ток - отсечка коллектора (макс)	500nA	100nA	500nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	250mV @ 1mA, 10mA	500mV @ 10mA, 100mA	250mV @ 300μA, 10mA
База (R1)	4.7 k Ω	-	4.7 k Ω
Резистор - Эмиттер-База (R2)	4.7 k Ω	-	47 k Ω
Корпусировка на излучение	No	-	-
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	Non-RoHS Compliant	Non-RoHS Compliant
Без свинца	Lead Free	Contains Lead	Contains Lead
Монтаж	-	Surface Mount	Surface Mount
Материал элемента транзистора	-	SILICON	-
Рабочая температура	-	150°C TJ	-
Код ТН ВЭД	-	8541.21.00.95	-
Ток постоянного напряжения - номинальный	-	50V	50V
Температура пайки (пиковая) (°C)	-	240	240
Код соответствия REACH	-	not_compliant	not_compliant
Моментальный ток	-	100mA	100mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	-	30	30
Квалификационный Статус	-	Not Qualified	Not Qualified
Полярность/Тип канала	-	NPN	-
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	-	60V	-
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	-	7V	-
Код JESD-30	-	-	R-PDSO-G3
Распад мощности	-	-	230mW
Прямоходящий ток коллектора	-	-	100mA

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
2PD601AR,115	NXP USA Inc.	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS NPN 50V 0.1A SC-59	Для сравнения
MSD601-ST1	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS NPN 50V 0.1A SC59	Для сравнения
MUN2233T1	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59	Для сравнения