Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
SMUN2232T1G Альтернативные части: MSD601-ST1
SMUN2232T1GON Semiconductor
В наличии: 11665
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
19.189011 ₽
19.23 ₽
10
18.102816 ₽
181.04 ₽
100
17.078118 ₽
1,707.83 ₽
500
16.111484 ₽
8,055.77 ₽
1000
15.199519 ₽
15,199.45 ₽
Цена за единицу: 19.189011 ₽
Итоговая цена: 19.23 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SC-59 T/R | TRANS NPN 50V 0.1A SC59 |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 5 days ago) | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago) |
Срок поставки от производителя | 2 Weeks | - |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Поверхностный монтаж | YES | - |
Количество контактов | 3 | 3 |
Диэлектрический пробой напряжение | 50V | 50V |
Количество элементов | 1 | 1 |
Минимальная частота работы в герцах | 15 | 290 |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2013 | 2006 |
Код JESD-609 | e3 | e0 |
Безоловая кодировка | yes | no |
Состояние изделия | Active | Obsolete |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Tin (Sn) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
Максимальная рабочая температура | 150°C | - |
Минимальная температура работы | -55°C | - |
Дополнительная Характеристика | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 | - |
Максимальная потеря мощности | 230mW | 200mW |
Положение терминала | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Основной номер части | MUN2232 | MSD601 |
Число контактов | 3 | 3 |
Направленность | NPN | - |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING |
Без галогенов | Halogen Free | - |
Тип транзистора | NPN - Pre-Biased | NPN |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 250mV | 500mV |
Максимальный ток сбора | 100mA | 100mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 15 @ 5mA 10V | 290 @ 2mA 10V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 500nA | 100nA |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA | 500mV @ 10mA, 100mA |
База (R1) | 4.7 k Ω | - |
Резистор - Эмиттер-База (R2) | 4.7 k Ω | - |
Корпусировка на излучение | No | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | Non-RoHS Compliant |
Без свинца | Lead Free | Contains Lead |
Монтаж | - | Surface Mount |
Материал элемента транзистора | - | SILICON |
Рабочая температура | - | 150°C TJ |
Код ТН ВЭД | - | 8541.21.00.95 |
Ток постоянного напряжения - номинальный | - | 50V |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | 240 |
Код соответствия REACH | - | not_compliant |
Моментальный ток | - | 100mA |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | 30 |
Квалификационный Статус | - | Not Qualified |
Полярность/Тип канала | - | NPN |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | - | 60V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | - | 7V |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | 2PD601AR,115 | NXP USA Inc. | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS NPN 50V 0.1A SC-59 | Для сравнения |
 | MSD601-ST1 | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS NPN 50V 0.1A SC59 | Для сравнения |
| MUN2233T1 | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59 | Для сравнения |