Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
SIA910EDJ-T1-GE3 Альтернативные части: SIA533EDJ-T1-GE3 ,DMN1032UCB4-7
SIA910EDJ-T1-GE3Vishay Siliconix
В наличии: 21691
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
40.296923 ₽
40.25 ₽
10
38.015920 ₽
380.22 ₽
100
35.864162 ₽
3,586.40 ₽
500
33.834066 ₽
16,917.03 ₽
1000
31.918901 ₽
31,918.96 ₽
Цена за единицу: 40.296923 ₽
Итоговая цена: 40.25 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | Dual N-Channel 12 V 28 mOhm SMT TrenchFET Power Mosfet - PowerPAK SC-70-6L | MOSFET 12V 4.5A/4.5A N&P-CH MOSFET | MOSFET 20V N-Ch Enh Mode FET 12V 8Vgss 0.9W |
Срок поставки от производителя | 14 Weeks | 14 Weeks | 34 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | PowerPAK® SC-70-6 Dual | PowerPAK® SC-70-6 Dual | 4-UFBGA, WLBGA |
Количество контактов | 6 | 6 | 4 |
Вес | 28.009329mg | 28.009329mg | - |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | SILICON |
Количество элементов | 2 | 2 | 1 |
Время отключения | 25 ns | - | 24 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Серия | TrenchFET® | TrenchFET® | - |
Опубликовано | 2015 | 2015 | 2015 |
Код JESD-609 | e3 | - | e1 |
Безоловая кодировка | yes | - | - |
Состояние изделия | Active | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 6 | 6 | 4 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Сопротивление | 28MOhm | 34MOhm | - |
Конечная обработка контакта | MATTE TIN | - | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
Максимальная потеря мощности | 7.8W | 7.8W | - |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
Основной номер части | SIA910E | SIA533 | - |
Число контактов | 6 | 6 | - |
Каналов количество | 2 | 2 | 1 |
Конфигурация элемента | Dual | Single | Single |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | 1.9W | 7.8W | - |
Сокетная связка | DRAIN | DRAIN | - |
Время задержки включения | 10 ns | - | 3.3 ns |
Тип ТРВ | 2 N-Channel (Dual) | N and P-Channel | N-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 28m Ω @ 5.2A, 4.5V | 34m Ω @ 4.6A, 4.5V | 26m Ω @ 1A, 4.5V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 1V @ 250μA | 1V @ 250μA | 1.2V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 455pF @ 6V | 420pF @ 6V | 450pF @ 6V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 16nC @ 8V | 15nC @ 10V | 4.5nC @ 4.5V |
Время подъема | 12ns | - | 5.6ns |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 12V | 12V | - |
Время падения (тип) | 12 ns | - | 9 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 4.5A | 4.5A | 4.8A |
Пороговое напряжение | 400mV | 400mV | - |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 8V | 8V | 8V |
Напряжение пробоя стока к истоку | 12V | 12V | 12V |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - |
Характеристика ТРП | Logic Level Gate | Logic Level Gate | - |
Номинальное Vgs | 400 mV | 400 mV | - |
REACH SVHC | Unknown | Unknown | - |
Корпусировка на излучение | No | - | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | - |
Форма вывода | - | C BEND | BALL |
Квалификационный Статус | - | Not Qualified | - |
Полярность/Тип канала | - | N-CHANNEL AND P-CHANNEL | - |
Максимальная температура перехода (Тj) | - | 150°C | - |
Высота | - | 800μm | - |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | - | - | 4.8A Ta |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | - | - | 1.8V 4.5V |
Максимальная мощность рассеяния | - | - | 900mW Ta |
Дополнительная Характеристика | - | - | HIGH RELIABILITY |
Положение терминала | - | - | BOTTOM |
Угол настройки (макс.) | - | - | ±8V |
Сопротивление открытого канала-макс | - | - | 0.038Ohm |
Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | SIA517DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | PowerPAK® SC-70-6 Dual | MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC-70-6 | Для сравнения |
| SIA533EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | PowerPAK® SC-70-6 Dual | MOSFET 12V 4.5A/4.5A N&P-CH MOSFET | Для сравнения |
 | DMN1032UCB4-7 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 4-UFBGA, WLBGA | MOSFET 20V N-Ch Enh Mode FET 12V 8Vgss 0.9W | Для сравнения |
 | SI1422DH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MOSFET N-CH 12V 4A SC70-6 | Для сравнения |