SIA910EDJ-T1-GE3 Альтернативные части: DMN1032UCB4-7

SIA910EDJ-T1-GE3Vishay Siliconix

В наличии: 21691

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
40.296923 ₽
40.25 ₽
10
38.015920 ₽
380.22 ₽
100
35.864162 ₽
3,586.40 ₽
500
33.834066 ₽
16,917.03 ₽
1000
31.918901 ₽
31,918.96 ₽

Цена за единицу: 40.296923 ₽

Итоговая цена: 40.25 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иSIA910EDJ-T1-GE3	иDMN1032UCB4-7
Производитель:	Vishay Siliconix	Diodes Incorporated
Описание:	Dual N-Channel 12 V 28 mOhm SMT TrenchFET Power Mosfet - PowerPAK SC-70-6L	MOSFET 20V N-Ch Enh Mode FET 12V 8Vgss 0.9W
Срок поставки от производителя	14 Weeks	34 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	PowerPAK® SC-70-6 Dual	4-UFBGA, WLBGA
Количество контактов	6	4
Вес	28.009329mg	-
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Количество элементов	2	1
Время отключения	25 ns	24 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Серия	TrenchFET®	-
Опубликовано	2015	2015
Код JESD-609	e3	e1
Безоловая кодировка	yes	-
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	6	4
Код ECCN	EAR99	EAR99
Сопротивление	28MOhm	-
Конечная обработка контакта	MATTE TIN	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Максимальная потеря мощности	7.8W	-
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	NOT SPECIFIED
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	NOT SPECIFIED
Основной номер части	SIA910E	-
Число контактов	6	-
Каналов количество	2	1
Конфигурация элемента	Dual	Single
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Распад мощности	1.9W	-
Сокетная связка	DRAIN	-
Время задержки включения	10 ns	3.3 ns
Тип ТРВ	2 N-Channel (Dual)	N-Channel
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	28m Ω @ 5.2A, 4.5V	26m Ω @ 1A, 4.5V
Втс(th) (Макс) @ Id	1V @ 250μA	1.2V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	455pF @ 6V	450pF @ 6V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	16nC @ 8V	4.5nC @ 4.5V
Время подъема	12ns	5.6ns
Напряжение стока-исток (Vdss)	12V	-
Время падения (тип)	12 ns	9 ns
Непрерывный ток стока (ID)	4.5A	4.8A
Пороговое напряжение	400mV	-
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	8V	8V
Напряжение пробоя стока к истоку	12V	12V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	-
Характеристика ТРП	Logic Level Gate	-
Номинальное Vgs	400 mV	-
REACH SVHC	Unknown	-
Корпусировка на излучение	No	-
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	-
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	-	4.8A Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	-	1.8V 4.5V
Максимальная мощность рассеяния	-	900mW Ta
Дополнительная Характеристика	-	HIGH RELIABILITY
Положение терминала	-	BOTTOM
Форма вывода	-	BALL
Угол настройки (макс.)	-	±8V
Сопротивление открытого канала-макс	-	0.038Ohm

Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
SIA517DJ-T1-GE3	Vishay Siliconix	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	PowerPAK® SC-70-6 Dual	MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC-70-6	Для сравнения
SIA533EDJ-T1-GE3	Vishay Siliconix	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	PowerPAK® SC-70-6 Dual	MOSFET 12V 4.5A/4.5A N&P-CH MOSFET	Для сравнения
DMN1032UCB4-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	4-UFBGA, WLBGA	MOSFET 20V N-Ch Enh Mode FET 12V 8Vgss 0.9W	Для сравнения
SI1422DH-T1-GE3	Vishay Siliconix	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	MOSFET N-CH 12V 4A SC70-6	Для сравнения