Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
SIA527DJ-T1-GE3 Альтернативные части: SIA517DJ-T1-GE3 ,DMN1032UCB4-7
SIA527DJ-T1-GE3Vishay Siliconix
В наличии: 1405
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
77.715495 ₽
77.75 ₽
10
73.316511 ₽
733.10 ₽
100
69.166497 ₽
6,916.62 ₽
500
65.251470 ₽
32,625.69 ₽
1000
61.557967 ₽
61,557.97 ₽
Цена за единицу: 77.715495 ₽
Итоговая цена: 77.75 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | MOSFET 12V 29mOhm@4.5V 4.5A N-CH | MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC-70-6 | MOSFET 20V N-Ch Enh Mode FET 12V 8Vgss 0.9W |
Срок поставки от производителя | 14 Weeks | 14 Weeks | 34 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | PowerPAK® SC-70-6 Dual | PowerPAK® SC-70-6 Dual | 4-UFBGA, WLBGA |
Время отключения | 22 ns | 30 ns | 24 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Серия | TrenchFET® | TrenchFET® | - |
Опубликовано | 2016 | 2017 | 2015 |
Состояние изделия | Active | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Сопротивление | 710μOhm | - | - |
Максимальная потеря мощности | 7.8W | 6.5W | - |
Температура пайки (пиковая) (°C) | NOT SPECIFIED | 260 | NOT SPECIFIED |
Код соответствия REACH | unknown | - | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | NOT SPECIFIED | 40 | NOT SPECIFIED |
Каналов количество | 2 | 2 | 1 |
Конфигурация элемента | Dual | - | Single |
Время задержки включения | 10 ns | 30 ns | 3.3 ns |
Тип ТРВ | N and P-Channel | N and P-Channel | N-Channel |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 29m Ω @ 5A, 4.5V | 29m Ω @ 5A, 4.5V | 26m Ω @ 1A, 4.5V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 1V @ 250μA | 1V @ 250μA | 1.2V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 500pF @ 6V | 500pF @ 6V | 450pF @ 6V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 15nC @ 8V | 15nC @ 8V | 4.5nC @ 4.5V |
Время подъема | 10ns | 25ns | 5.6ns |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 12V | 12V | - |
Время падения (тип) | 10 ns | 25 ns | 9 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 4.5A | 4.5A | 4.8A |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 8V | 8V | 8V |
Напряжение пробоя стока к истоку | 12V | 12V | 12V |
Характеристика ТРП | Logic Level Gate | Logic Level Gate | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Количество контактов | - | 6 | 4 |
Вес | - | 28.009329mg | - |
Материал элемента транзистора | - | SILICON | SILICON |
Количество элементов | - | 2 | 1 |
Код JESD-609 | - | e3 | e1 |
Безоловая кодировка | - | yes | - |
Количество выводов | - | 6 | 4 |
Конечная обработка контакта | - | Matte Tin (Sn) | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
Форма вывода | - | NO LEAD | BALL |
Основной номер части | - | SIA517 | - |
Число контактов | - | 6 | - |
Квалификационный Статус | - | Not Qualified | - |
Режим работы | - | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | - | 1.9W | - |
Сокетная связка | - | DRAIN | - |
Применение транзистора | - | SWITCHING | SWITCHING |
Полярность/Тип канала | - | N-CHANNEL AND P-CHANNEL | - |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - |
Максимальная температура перехода (Тj) | - | 150°C | - |
Номинальное Vgs | - | 400 mV | - |
Высота | - | 800μm | - |
Длина | - | 2.05mm | - |
Ширина | - | 2.05mm | - |
REACH SVHC | - | Unknown | - |
Без свинца | - | Lead Free | - |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | - | - | 4.8A Ta |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | - | - | 1.8V 4.5V |
Максимальная мощность рассеяния | - | - | 900mW Ta |
Дополнительная Характеристика | - | - | HIGH RELIABILITY |
Положение терминала | - | - | BOTTOM |
Угол настройки (макс.) | - | - | ±8V |
Сопротивление открытого канала-макс | - | - | 0.038Ohm |
Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMP1045UFY4-7 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 3-XFDFN | MOSFET P-CH 24V X2-DFN2015-3 | Для сравнения |
 | SIA910EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | PowerPAK® SC-70-6 Dual | Dual N-Channel 12 V 28 mOhm SMT TrenchFET Power Mosfet - PowerPAK SC-70-6L | Для сравнения |
| SIA517DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | PowerPAK® SC-70-6 Dual | MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC-70-6 | Для сравнения |
 | DMN1032UCB4-7 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 4-UFBGA, WLBGA | MOSFET 20V N-Ch Enh Mode FET 12V 8Vgss 0.9W | Для сравнения |