Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
SIA527DJ-T1-GE3 Альтернативные части: SIA517DJ-T1-GE3
SIA527DJ-T1-GE3Vishay Siliconix
В наличии: 1405
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
77.715495 ₽
77.75 ₽
10
73.316511 ₽
733.10 ₽
100
69.166497 ₽
6,916.62 ₽
500
65.251470 ₽
32,625.69 ₽
1000
61.557967 ₽
61,557.97 ₽
Цена за единицу: 77.715495 ₽
Итоговая цена: 77.75 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | MOSFET 12V 29mOhm@4.5V 4.5A N-CH | MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC-70-6 |
Срок поставки от производителя | 14 Weeks | 14 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | PowerPAK® SC-70-6 Dual | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
Время отключения | 22 ns | 30 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Серия | TrenchFET® | TrenchFET® |
Опубликовано | 2016 | 2017 |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Сопротивление | 710μOhm | - |
Максимальная потеря мощности | 7.8W | 6.5W |
Температура пайки (пиковая) (°C) | NOT SPECIFIED | 260 |
Код соответствия REACH | unknown | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | NOT SPECIFIED | 40 |
Каналов количество | 2 | 2 |
Конфигурация элемента | Dual | - |
Время задержки включения | 10 ns | 30 ns |
Тип ТРВ | N and P-Channel | N and P-Channel |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 29m Ω @ 5A, 4.5V | 29m Ω @ 5A, 4.5V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 1V @ 250μA | 1V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 500pF @ 6V | 500pF @ 6V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 15nC @ 8V | 15nC @ 8V |
Время подъема | 10ns | 25ns |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 12V | 12V |
Время падения (тип) | 10 ns | 25 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 4.5A | 4.5A |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 8V | 8V |
Напряжение пробоя стока к истоку | 12V | 12V |
Характеристика ТРП | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Количество контактов | - | 6 |
Вес | - | 28.009329mg |
Материал элемента транзистора | - | SILICON |
Количество элементов | - | 2 |
Код JESD-609 | - | e3 |
Безоловая кодировка | - | yes |
Количество выводов | - | 6 |
Конечная обработка контакта | - | Matte Tin (Sn) |
Форма вывода | - | NO LEAD |
Основной номер части | - | SIA517 |
Число контактов | - | 6 |
Квалификационный Статус | - | Not Qualified |
Режим работы | - | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | - | 1.9W |
Сокетная связка | - | DRAIN |
Применение транзистора | - | SWITCHING |
Полярность/Тип канала | - | N-CHANNEL AND P-CHANNEL |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Максимальная температура перехода (Тj) | - | 150°C |
Номинальное Vgs | - | 400 mV |
Высота | - | 800μm |
Длина | - | 2.05mm |
Ширина | - | 2.05mm |
REACH SVHC | - | Unknown |
Без свинца | - | Lead Free |
Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMP1045UFY4-7 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 3-XFDFN | MOSFET P-CH 24V X2-DFN2015-3 | Для сравнения |
 | SIA910EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | PowerPAK® SC-70-6 Dual | Dual N-Channel 12 V 28 mOhm SMT TrenchFET Power Mosfet - PowerPAK SC-70-6L | Для сравнения |
| SIA517DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | PowerPAK® SC-70-6 Dual | MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC-70-6 | Для сравнения |
 | DMN1032UCB4-7 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 4-UFBGA, WLBGA | MOSFET 20V N-Ch Enh Mode FET 12V 8Vgss 0.9W | Для сравнения |