SIA527DJ-T1-GE3Vishay Siliconix
В наличии: 1405
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
77.715495 ₽
77.75 ₽
10
73.316511 ₽
733.10 ₽
100
69.166497 ₽
6,916.62 ₽
500
65.251470 ₽
32,625.69 ₽
1000
61.557967 ₽
61,557.97 ₽
Цена за единицу: 77.715495 ₽
Итоговая цена: 77.75 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | MOSFET 12V 29mOhm@4.5V 4.5A N-CH | MOSFET 20V N-Ch Enh Mode FET 12V 8Vgss 0.9W | MOSFET P-CH 24V X2-DFN2015-3 |
Срок поставки от производителя | 14 Weeks | 34 Weeks | 15 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | PowerPAK® SC-70-6 Dual | 4-UFBGA, WLBGA | 3-XFDFN |
Время отключения | 22 ns | 24 ns | 74 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Серия | TrenchFET® | - | - |
Опубликовано | 2016 | 2015 | 2012 |
Состояние изделия | Active | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Сопротивление | 710μOhm | - | - |
Максимальная потеря мощности | 7.8W | - | - |
Температура пайки (пиковая) (°C) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
Код соответствия REACH | unknown | - | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
Каналов количество | 2 | 1 | 1 |
Конфигурация элемента | Dual | Single | - |
Время задержки включения | 10 ns | 3.3 ns | 14 ns |
Тип ТРВ | N and P-Channel | N-Channel | P-Channel |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 29m Ω @ 5A, 4.5V | 26m Ω @ 1A, 4.5V | 32m Ω @ 4A, 4.5V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 1V @ 250μA | 1.2V @ 250μA | 1V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 500pF @ 6V | 450pF @ 6V | 1291pF @ 10V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 15nC @ 8V | 4.5nC @ 4.5V | 23.7nC @ 8V |
Время подъема | 10ns | 5.6ns | 22ns |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 12V | - | 12V |
Время падения (тип) | 10 ns | 9 ns | 75 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 4.5A | 4.8A | 5.5A |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 8V | 8V | 8V |
Напряжение пробоя стока к истоку | 12V | 12V | -12V |
Характеристика ТРП | Logic Level Gate | - | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Количество контактов | - | 4 | 3 |
Материал элемента транзистора | - | SILICON | - |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | - | 4.8A Ta | 5.5A Ta |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | - | 1.8V 4.5V | 1.8V 4.5V |
Количество элементов | - | 1 | - |
Максимальная мощность рассеяния | - | 900mW Ta | 700mW Ta |
Код JESD-609 | - | e1 | e4 |
Количество выводов | - | 4 | - |
Конечная обработка контакта | - | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
Дополнительная Характеристика | - | HIGH RELIABILITY | - |
Положение терминала | - | BOTTOM | - |
Форма вывода | - | BALL | - |
Режим работы | - | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Применение транзистора | - | SWITCHING | - |
Угол настройки (макс.) | - | ±8V | ±8V |
Сопротивление открытого канала-макс | - | 0.038Ohm | - |
Конфигурация | - | - | Single |
REACH SVHC | - | - | No SVHC |