SI4936BDY-T1-GE3 Альтернативные части: FDS6982 ,AUIRF7313QTR

SI4936BDY-T1-GE3Vishay Siliconix

В наличии: 7265

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
121.850220 ₽
121.84 ₽
10
114.953022 ₽
1,149.59 ₽
100
108.446223 ₽
10,844.64 ₽
500
102.307747 ₽
51,153.85 ₽
1000
96.516786 ₽
96,516.76 ₽

Цена за единицу: 121.850220 ₽

Итоговая цена: 121.84 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иSI4936BDY-T1-GE3	иFDS6982	иAUIRF7313QTR
Производитель:	Vishay Siliconix	ON Semiconductor	Infineon Technologies
Описание:	MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC	MOSFET 2N-CH 30V 6.3A/8.6A 8SOIC	MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOIC
Срок поставки от производителя	14 Weeks	-	8 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов	8	8	8
Вес	506.605978mg	187mg	-
Материал элемента транзистора	SILICON	-	SILICON
Количество элементов	2	2	2
Время отключения	12 ns	36 ns	21 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ	-55°C~175°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Серия	TrenchFET®	-	HEXFET®
Опубликовано	2011	-	2011
Безоловая кодировка	yes	-	-
Состояние изделия	Active	Obsolete	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	8	-	8
Код ECCN	EAR99	-	EAR99
Конечная обработка контакта	Pure Matte Tin (Sn)	-	-
Максимальная потеря мощности	2.8W	2W	2.4W
Форма вывода	GULL WING	-	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	-	-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	30	-	-
Основной номер части	SI4936	-	-
Число контактов	8	-	-
Каналов количество	2	-	-
Конфигурация элемента	Dual	Dual	-
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	-	ENHANCEMENT MODE
Время задержки включения	5 ns	-	3.7 ns
Тип ТРВ	2 N-Channel (Dual)	2 N-Channel (Dual)	2 N-Channel (Dual)
Применение транзистора	SWITCHING	-	SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	35m Ω @ 5.9A, 10V	28m Ω @ 6.3A, 10V	29m Ω @ 6.9A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	3V @ 250μA	3V @ 250μA	3V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	530pF @ 15V	760pF @ 10V	755pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	15nC @ 10V	12nC @ 5V	33nC @ 10V
Время подъема	25ns	11ns	7.3ns
Напряжение стока-исток (Vdss)	30V	-	30V
Время падения (тип)	10 ns	18 ns	11 ns
Непрерывный ток стока (ID)	6.9A	8.6A	6.9A
Пороговое напряжение	3V	2.2V	3V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	20V	20V	20V
Сопротивление открытого канала-макс	0.035Ohm	-	-
Напряжение пробоя стока к истоку	30V	30V	30V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	-	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП	Logic Level Gate	Logic Level Gate	Logic Level Gate
REACH SVHC	Unknown	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	-	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	RoHS Compliant	ROHS3 Compliant
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	-	6.3A 8.6A	-
Сопротивление	-	15mOhm	-
Ток постоянного напряжения - номинальный	-	30V	-
Моментальный ток	-	8.6A	-
Распад мощности	-	2W	2.4W
Мощность - Макс	-	900mW	-
Двухпитание напряжения	-	30V	-
Номинальное Vgs	-	2.2 V	-
Высота	-	1.5mm	-
Длина	-	5mm	-
Ширина	-	4mm	-
Без свинца	-	Lead Free	-
Нормативная Марка	-	-	AEC-Q101
Рейтинг энергии лавины (Eas)	-	-	450 mJ

Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
ZXMN3G32DN8TA	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC	Для сравнения
SI4214DDY-T1-GE3	Vishay Siliconix	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8-SOIC	Для сравнения
FDS6982	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET 2N-CH 30V 6.3A/8.6A 8SOIC	Для сравнения
AUIRF7313QTR	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOIC	Для сравнения