Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
SI4936BDY-T1-GE3 Альтернативные части: ZXMN3G32DN8TA
SI4936BDY-T1-GE3Vishay Siliconix
В наличии: 7265
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
121.850220 ₽
121.84 ₽
10
114.953022 ₽
1,149.59 ₽
100
108.446223 ₽
10,844.64 ₽
500
102.307747 ₽
51,153.85 ₽
1000
96.516786 ₽
96,516.76 ₽
Цена за единицу: 121.850220 ₽
Итоговая цена: 121.84 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC | MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC |
Срок поставки от производителя | 14 Weeks | 17 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 |
Вес | 506.605978mg | 73.992255mg |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON |
Количество элементов | 2 | 2 |
Время отключения | 12 ns | 14 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Серия | TrenchFET® | - |
Опубликовано | 2011 | 2008 |
Безоловая кодировка | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 8 | 8 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Pure Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) |
Максимальная потеря мощности | 2.8W | 2.1W |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 30 | 40 |
Основной номер части | SI4936 | - |
Число контактов | 8 | 8 |
Каналов количество | 2 | 2 |
Конфигурация элемента | Dual | Dual |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Время задержки включения | 5 ns | 2.5 ns |
Тип ТРВ | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 35m Ω @ 5.9A, 10V | 28m Ω @ 6A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 3V @ 250μA | 3V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 530pF @ 15V | 472pF @ 15V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 15nC @ 10V | 10.5nC @ 10V |
Время подъема | 25ns | 3.1ns |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 30V | - |
Время падения (тип) | 10 ns | 9.7 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 6.9A | 7.1A |
Пороговое напряжение | 3V | 3V |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V |
Сопротивление открытого канала-макс | 0.035Ohm | - |
Напряжение пробоя стока к истоку | 30V | 30V |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Характеристика ТРП | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
REACH SVHC | Unknown | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | - | 5.5A |
Код JESD-609 | - | e3 |
Завершение | - | SMD/SMT |
Сопротивление | - | 45mOhm |
Распад мощности | - | 2.1W |
Мощность - Макс | - | 1.8W |
Максимальный сливовой ток (ID) | - | 5.5A |
Двухпитание напряжения | - | 30V |
Номинальное Vgs | - | 3 V |
Высота | - | 1.5mm |
Длина | - | 5mm |
Ширина | - | 4mm |
Без свинца | - | Lead Free |
Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | ZXMN3G32DN8TA | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC | Для сравнения |
 | SI4214DDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8-SOIC | Для сравнения |
 | FDS6982 | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 30V 6.3A/8.6A 8SOIC | Для сравнения |
 | AUIRF7313QTR | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOIC | Для сравнения |