SI4842BDY-T1-GE3 Альтернативные части: SI4626ADY-T1-E3 ,IRF7862TRPBF

SI4842BDY-T1-GE3Vishay Siliconix

  • SI4842BDY-T1-GE3Vishay Siliconix
  • SI4626ADY-T1-E3Vishay Siliconix
  • IRF7862TRPBFInfineon Technologies

В наличии: 1535

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    303.186374 ₽

    303.16 ₽

  • 10

    286.024876 ₽

    2,860.30 ₽

  • 100

    269.834821 ₽

    26,983.52 ₽

  • 500

    254.561126 ₽

    127,280.49 ₽

  • 1000

    240.152005 ₽

    240,152.06 ₽

Цена за единицу: 303.186374 ₽

Итоговая цена: 303.16 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
MOSFET N-CH 30V 28A 8-SOIC
MOSFET 30V 30A 6.0W 3.3mohm @ 10V
MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC
Срок поставки от производителя
14 Weeks
14 Weeks
12 Weeks
Покрытие контактов
Tin
Tin
-
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов
8
8
8
Вес
186.993455mg
186.993455mg
-
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C
28A Tc
30A Tc
21A Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)
4.5V 10V
4.5V 10V
4.5V 10V
Количество элементов
1
1
1
Максимальная мощность рассеяния
3W Ta 6.25W Tc
3W Ta 6W Tc
2.5W Ta
Время отключения
38 ns
45 ns
18 ns
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
TrenchFET®
HEXFET®
Опубликовано
2009
2016
2007
Код JESD-609
e3
e3
-
Безоловая кодировка
yes
-
-
Состояние изделия
Active
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
8
8
8
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Положение терминала
DUAL
DUAL
DUAL
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
260
NOT SPECIFIED
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
30
40
NOT SPECIFIED
Число контактов
8
8
-
Каналов количество
1
1
-
Конфигурация элемента
Single
Single
-
Режим работы
ENHANCEMENT MODE
ENHANCEMENT MODE
ENHANCEMENT MODE
Время задержки включения
125 ns
44 ns
16 ns
Тип ТРВ
N-Channel
N-Channel
N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs
4.2m Ω @ 20A, 10V
3.3m Ω @ 15A, 10V
3.7m Ω @ 20A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id
3V @ 250μA
2.5V @ 250μA
2.35V @ 100μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds
3650pF @ 15V
5370pF @ 15V
4090pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs
100nC @ 10V
125nC @ 10V
45nC @ 4.5V
Время подъема
190ns
21ns
19ns
Напряжение стока-исток (Vdss)
30V
30V
-
Угол настройки (макс.)
±20V
±20V
±20V
Время падения (тип)
13 ns
18 ns
11 ns
Непрерывный ток стока (ID)
28A
30A
21A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)
20V
20V
20V
Максимальный сливовой ток (ID)
20A
-
-
Сопротивление открытого канала-макс
0.0042Ohm
0.0033Ohm
-
Минимальная напряжённость разрушения
30V
30V
-
Высота
1.55mm
1.55mm
1.4986mm
Длина
5mm
5mm
4.9784mm
Ширина
4mm
4mm
3.9878mm
REACH SVHC
Unknown
-
No SVHC
Корпусировка на излучение
No
No
-
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
-
Lead Free
Распад мощности
-
3W
2.5W
Применение транзистора
-
SWITCHING
SWITCHING
Сопротивление
-
-
3.3MOhm
Конфигурация
-
-
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Напряжение пробоя стока к истоку
-
-
30V
Рейтинг энергии лавины (Eas)
-
-
350 mJ
Номинальное Vgs
-
-
2.35 V