SI4842BDY-T1-GE3 Альтернативные части: SI7149DP-T1-GE3

SI4842BDY-T1-GE3Vishay Siliconix

В наличии: 1535

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
303.186374 ₽
303.16 ₽
10
286.024876 ₽
2,860.30 ₽
100
269.834821 ₽
26,983.52 ₽
500
254.561126 ₽
127,280.49 ₽
1000
240.152005 ₽
240,152.06 ₽

Цена за единицу: 303.186374 ₽

Итоговая цена: 303.16 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иSI4842BDY-T1-GE3	иSI7149DP-T1-GE3
Производитель:	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix
Описание:	MOSFET N-CH 30V 28A 8-SOIC	VISHAY - SI7149DP-T1-GE3 - MOSFET-Transistor, p-Kanal, -50 A, -30 V, 0.0042 ohm, -10 V, -1.2 V
Срок поставки от производителя	14 Weeks	14 Weeks
Покрытие контактов	Tin	Tin
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	PowerPAK® SO-8
Количество контактов	8	8
Вес	186.993455mg	-
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	28A Tc	50A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	4.5V 10V	4.5V 10V
Количество элементов	1	1
Максимальная мощность рассеяния	3W Ta 6.25W Tc	69W Tc
Время отключения	38 ns	230 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Серия	TrenchFET®	TrenchFET®
Опубликовано	2009	2013
Код JESD-609	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	8	5
Код ECCN	EAR99	EAR99
Положение терминала	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	C BEND
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	30	40
Число контактов	8	8
Каналов количество	1	1
Конфигурация элемента	Single	-
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Время задержки включения	125 ns	100 ns
Тип ТРВ	N-Channel	P-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	4.2m Ω @ 20A, 10V	5.2m Ω @ 15A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	3V @ 250μA	2.5V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	3650pF @ 15V	4590pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	100nC @ 10V	147nC @ 10V
Время подъема	190ns	150ns
Напряжение стока-исток (Vdss)	30V	30V
Угол настройки (макс.)	±20V	±25V
Время падения (тип)	13 ns	110 ns
Непрерывный ток стока (ID)	28A	23.7A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	20V	25V
Максимальный сливовой ток (ID)	20A	50A
Сопротивление открытого канала-макс	0.0042Ohm	-
Минимальная напряжённость разрушения	30V	-
Высота	1.55mm	1.04mm
Длина	5mm	5.15mm
Ширина	4mm	6.15mm
REACH SVHC	Unknown	Unknown
Корпусировка на излучение	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free
Сопротивление	-	5.2MOhm
Код JESD-30	-	R-XDSO-C5
Конфигурация	-	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Распад мощности	-	69W
Сокетная связка	-	DRAIN
Применение транзистора	-	SWITCHING
Пороговое напряжение	-	-1.2V
Напряжение пробоя стока к истоку	-	-20V
Максимальный импульсный ток вывода	-	70A
Рейтинг энергии лавины (Eas)	-	20 mJ

Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
SI4626ADY-T1-E3	Vishay Siliconix	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET 30V 30A 6.0W 3.3mohm @ 10V	Для сравнения
IRF7862TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC	Для сравнения
IRF8734TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC	Для сравнения
SI7149DP-T1-GE3	Vishay Siliconix	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	PowerPAK® SO-8	VISHAY - SI7149DP-T1-GE3 - MOSFET-Transistor, p-Kanal, -50 A, -30 V, 0.0042 ohm, -10 V, -1.2 V	Для сравнения