Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
SI4842BDY-T1-GE3 Альтернативные части: IRF7862TRPBF ,IRF8734TRPBF
SI4842BDY-T1-GE3Vishay Siliconix
В наличии: 1535
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
303.186374 ₽
303.16 ₽
10
286.024876 ₽
2,860.30 ₽
100
269.834821 ₽
26,983.52 ₽
500
254.561126 ₽
127,280.49 ₽
1000
240.152005 ₽
240,152.06 ₽
Цена за единицу: 303.186374 ₽
Итоговая цена: 303.16 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | MOSFET N-CH 30V 28A 8-SOIC | MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC | MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC |
Срок поставки от производителя | 14 Weeks | 12 Weeks | 12 Weeks |
Покрытие контактов | Tin | - | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 | 8 |
Вес | 186.993455mg | - | - |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | SILICON |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 28A Tc | 21A Ta | 21A Ta |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 4.5V 10V | 4.5V 10V | 4.5V 10V |
Количество элементов | 1 | 1 | 1 |
Максимальная мощность рассеяния | 3W Ta 6.25W Tc | 2.5W Ta | 2.5W Ta |
Время отключения | 38 ns | 18 ns | 15 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Серия | TrenchFET® | HEXFET® | HEXFET® |
Опубликовано | 2009 | 2007 | 2009 |
Код JESD-609 | e3 | - | e3 |
Безоловая кодировка | yes | - | - |
Состояние изделия | Active | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 8 | 8 | 8 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Положение терминала | DUAL | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | NOT SPECIFIED | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 30 | NOT SPECIFIED | - |
Число контактов | 8 | - | - |
Каналов количество | 1 | - | - |
Конфигурация элемента | Single | - | - |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Время задержки включения | 125 ns | 16 ns | 13 ns |
Тип ТРВ | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 4.2m Ω @ 20A, 10V | 3.7m Ω @ 20A, 10V | 3.5m Ω @ 21A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 3V @ 250μA | 2.35V @ 100μA | 2.35V @ 50μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 3650pF @ 15V | 4090pF @ 15V | 3175pF @ 15V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 100nC @ 10V | 45nC @ 4.5V | 30nC @ 4.5V |
Время подъема | 190ns | 19ns | 16ns |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 30V | - | - |
Угол настройки (макс.) | ±20V | ±20V | ±20V |
Время падения (тип) | 13 ns | 11 ns | 8 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 28A | 21A | 21A |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V | 20V |
Максимальный сливовой ток (ID) | 20A | - | - |
Сопротивление открытого канала-макс | 0.0042Ohm | - | - |
Минимальная напряжённость разрушения | 30V | - | - |
Высота | 1.55mm | 1.4986mm | 1.4986mm |
Длина | 5mm | 4.9784mm | - |
Ширина | 4mm | 3.9878mm | 3.9878mm |
REACH SVHC | Unknown | No SVHC | - |
Корпусировка на излучение | No | - | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | Lead Free |
Сопротивление | - | 3.3MOhm | 3.5MOhm |
Конфигурация | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Распад мощности | - | 2.5W | 2.5W |
Применение транзистора | - | SWITCHING | SWITCHING |
Напряжение пробоя стока к истоку | - | 30V | 30V |
Рейтинг энергии лавины (Eas) | - | 350 mJ | - |
Номинальное Vgs | - | 2.35 V | - |
Конечная обработка контакта | - | - | Matte Tin (Sn) |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI4626ADY-T1-E3 | Vishay Siliconix | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 30V 30A 6.0W 3.3mohm @ 10V | Для сравнения |
 | IRF7862TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC | Для сравнения |
| IRF8734TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC | Для сравнения |
 | SI7149DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | PowerPAK® SO-8 | VISHAY - SI7149DP-T1-GE3 - MOSFET-Transistor, p-Kanal, -50 A, -30 V, 0.0042 ohm, -10 V, -1.2 V | Для сравнения |