Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
SI4842BDY-T1-E3 Альтернативные части: SI7149DP-T1-GE3 ,SI4626ADY-T1-E3
SI4842BDY-T1-E3Vishay Siliconix
В наличии: 2268
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
233.146484 ₽
233.10 ₽
10
219.949533 ₽
2,199.45 ₽
100
207.499505 ₽
20,750.00 ₽
500
195.754299 ₽
97,877.20 ₽
1000
184.673887 ₽
184,673.90 ₽
Цена за единицу: 233.146484 ₽
Итоговая цена: 233.10 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin SOIC N T/R | VISHAY - SI7149DP-T1-GE3 - MOSFET-Transistor, p-Kanal, -50 A, -30 V, 0.0042 ohm, -10 V, -1.2 V | MOSFET 30V 30A 6.0W 3.3mohm @ 10V |
Срок поставки от производителя | 14 Weeks | 14 Weeks | 14 Weeks |
Покрытие контактов | Tin | Tin | Tin |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | PowerPAK® SO-8 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 | 8 |
Вес | 186.993455mg | - | 186.993455mg |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | SILICON |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 28A Tc | 50A Tc | 30A Tc |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 4.5V 10V | 4.5V 10V | 4.5V 10V |
Количество элементов | 1 | 1 | 1 |
Максимальная мощность рассеяния | 3W Ta 6.25W Tc | 69W Tc | 3W Ta 6W Tc |
Время отключения | 38 ns | 230 ns | 45 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Серия | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® |
Опубликовано | 2009 | 2013 | 2016 |
Код JESD-609 | e3 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes | - |
Состояние изделия | Active | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 8 | 5 | 8 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Сопротивление | 4.2mOhm | 5.2MOhm | - |
Положение терминала | DUAL | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | C BEND | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 20 | 40 | 40 |
Число контактов | 8 | 8 | 8 |
Квалификационный Статус | Not Qualified | - | - |
Каналов количество | 1 | 1 | 1 |
Конфигурация элемента | Single | - | Single |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | 6.25W | 69W | 3W |
Время задержки включения | 125 ns | 100 ns | 44 ns |
Тип ТРВ | N-Channel | P-Channel | N-Channel |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 4.2m Ω @ 20A, 10V | 5.2m Ω @ 15A, 10V | 3.3m Ω @ 15A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 3V @ 250μA | 2.5V @ 250μA | 2.5V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 3650pF @ 15V | 4590pF @ 15V | 5370pF @ 15V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 100nC @ 10V | 147nC @ 10V | 125nC @ 10V |
Время подъема | 190ns | 150ns | 21ns |
Угол настройки (макс.) | ±20V | ±25V | ±20V |
Время падения (тип) | 13 ns | 110 ns | 18 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 28A | 23.7A | 30A |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 25V | 20V |
Напряжение пробоя стока к истоку | 30V | -20V | - |
Номинальное Vgs | 1.4 V | - | - |
Высота | 1.55mm | 1.04mm | 1.55mm |
Длина | 5mm | 5.15mm | 5mm |
Ширина | 4mm | 6.15mm | 4mm |
REACH SVHC | Unknown | Unknown | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | - |
Код JESD-30 | - | R-XDSO-C5 | - |
Конфигурация | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - |
Сокетная связка | - | DRAIN | - |
Применение транзистора | - | SWITCHING | SWITCHING |
Напряжение стока-исток (Vdss) | - | 30V | 30V |
Пороговое напряжение | - | -1.2V | - |
Максимальный сливовой ток (ID) | - | 50A | - |
Максимальный импульсный ток вывода | - | 70A | - |
Рейтинг энергии лавины (Eas) | - | 20 mJ | - |
Корпусировка на излучение | - | No | No |
Сопротивление открытого канала-макс | - | - | 0.0033Ohm |
Минимальная напряжённость разрушения | - | - | 30V |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI4626ADY-T1-E3 | Vishay Siliconix | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 30V 30A 6.0W 3.3mohm @ 10V | Для сравнения |
 | IRF7862TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC | Для сравнения |
| IRF8734TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC | Для сравнения |
 | SI7149DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | PowerPAK® SO-8 | VISHAY - SI7149DP-T1-GE3 - MOSFET-Transistor, p-Kanal, -50 A, -30 V, 0.0042 ohm, -10 V, -1.2 V | Для сравнения |